公开(公告)号：CN102569061B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110454442.X

申请日：2011-12-30

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 毕大炜 ,  魏星 ,  陈明 ,  武爱民 ,  张正选 ,  黄辉祥

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种带有绝缘埋层的辐射加固材料的制备方法，包括步骤：提供器件衬底和支撑衬底；在所述器件衬底和支撑衬底的裸露表面分别生长第一、第二绝缘层；在所述第一绝缘层的裸露表面采用化学气相沉积工艺依次生长纳米晶体层和第三绝缘层以形成纳米晶体复合层；采用键合工艺将第二绝缘层的裸露表面键合至所述纳米晶体复合层的裸露表面。本发明还提供了上述材料，依次包括器件衬底、绝缘埋层和器件层，所述绝缘埋层包括第一绝缘层、第二绝缘层和纳米晶体复合层。本发明的优点为避免了传统的离子注入加固工艺对材料器件层晶格的注入损伤及注入元素在绝缘埋层中的高斯分布展宽及由此造成的绝缘埋层完整性破坏。

公开(公告)号：CN102569061A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110454442.X

申请日：2011-12-30

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 毕大炜 ,  魏星 ,  陈明 ,  武爱民 ,  张正选 ,  黄辉祥

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种带有绝缘埋层的辐射加固材料的制备方法，包括步骤：提供器件衬底和支撑衬底；在所述器件衬底和支撑衬底的裸露表面分别生长第一、第二绝缘层；在所述第一绝缘层的裸露表面采用化学气相沉积工艺依次生长纳米晶体层和第三绝缘层以形成纳米晶体复合层；采用键合工艺将第二绝缘层的裸露表面键合至所述纳米晶体复合层的裸露表面。本发明还提供了上述材料，依次包括器件衬底、绝缘埋层和器件层，所述绝缘埋层包括第一绝缘层、第二绝缘层和纳米晶体复合层。本发明的优点为避免了传统的离子注入加固工艺对材料器件层晶格的注入损伤及注入元素在绝缘埋层中的高斯分布展宽及由此造成的绝缘埋层完整性破坏。