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公开(公告)号:CN119039986A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411166353.9
申请日:2024-08-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料及其制备方法和应用,N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料的化学式为:Mg4Ta2O9:x wt%CO(NH2)2,其中,0.5≤x≤20。本发明采用二步高温固相反应法合成掺N的Mg4Ta2O9化合物,能够在空气中稳定存在,且工艺安全简单,容易控制。此外,本发明的掺N的Mg4Ta2O9XEL发光强度是Mg4Ta2O9(MTO)的1.47~2.61倍。其中Mg4Ta2O9:2wt%CO(NH2)2的XEL发光强度最高,是Mg4Ta2O9(MTO)的2.61倍,在安检、核医学成像和工业检测等领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN116925758A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310897877.4
申请日:2023-07-20
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种真空紫外光激发的钽铌酸镁蓝紫色荧光粉及其应用。本发明的蓝紫色荧光粉钽铌酸镁的化学组成表达式为Mg4(Ta1‑xNbx)2O9,其中,0≤x≤1。该蓝紫色荧光粉采用高温固相反应法合成,在空气中稳定存在,工艺安全简单,容易控制。本发明的真空紫外激发的蓝、紫色荧光粉的发光强度是对比样品BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)蓝色荧光粉的0.53~4.06倍。其中Mg4(Ta0.8Nb0.2)2O9的发光强度最高,是BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)的4.06倍,抗热损伤、抗辐射损伤、余辉时间短,在3D‑PDP等离子平板显示器以及无汞荧光灯等领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN116875309A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202310777784.8
申请日:2023-06-28
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种高能射线探测用闪烁发光材料及其制备方法与用途。本发明的闪烁发光材料的化学组成表达式为:(Mg0.8‑xZn0.2Gdx)4Ta2O9,其中,0<x≤0.01。本发明的闪烁发光材料采用高温固相法合成,在空气中稳定存在,工艺安全简单,容易控制。在X射线激发下,得到的材料样品光产额在24851~36273ph./MeV之间,当x=0.005时,光产额最高,为36273ph./MeV,是CdWO4和Mg4Ta2O9(MTO)的2.27倍,是(Mg0.8Zn0.2)4Ta2O9(MZTO)的1.57倍。光产额的大幅提高和X射线激发发射峰的红移非常有利于在X射线检测领域的应用。
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