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公开(公告)号:CN105036198A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510500124.0
申请日:2015-08-14
Applicant: 上海工程技术大学 , 上海赛特康新能源科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种λ-MnO2电极材料及其制备方法与应用,制备时,将LiMn2O4加入到H2SO4溶液中配制成反应溶液,并在25-30℃的条件下,搅拌反应,定时测定反应溶液的pH值,直至pH值稳定在1-2,停止搅拌,抽滤,保留滤饼,并用蒸馏水洗涤数次,干燥,即制得所述的λ-MnO2电极材料,该λ-MnO2电极材料用于制备钠离子电容器。与现有技术相比,本发明操作简便,条件温和,通过H2SO4溶液与LiMn2O4反应,除去LiMn2O4晶格中的Li,从而形成具有Fd3m空间对称群和相互连通三维隧道结构的λ-MnO2电极材料,具有优异的电化学稳定性,适于进行扩大化工业生产。
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公开(公告)号:CN119350932A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202411727630.9
申请日:2024-11-28
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C09D133/00 , C09D5/08
Abstract: 本发明公开了一种稀土磷酸盐水性防锈涂料及其制备方法。所述稀土磷酸盐水性防锈涂料具有如下组成及配比:去离子水:12~14质量份;丙烯酸树脂:50~55质量份;分散剂:4.0~4.5质量份;润湿剂:0.2~0.4质量份;PH调节剂:0.2~0.5质量份;消泡剂:0.3~0.5质量份;醇酯十二:0.8~1质量份;流平剂:0.2~0.3质量份;增稠剂:0.1~0.3质量份;30%亚硝酸钠水溶液:0.1~0.2质量份;抗菌剂:0.05~0.1质量份;稀土磷酸盐:1~4质量份。本发明以稀土磷酸盐为防锈填料,得到的水性涂料,具有良好的防锈性能,绿色环保,同时还具有优异的力学性能和疏水性,综合性能优异。
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公开(公告)号:CN109652860B
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN201910008774.1
申请日:2019-01-04
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及一种硫锡锰锶化合物、硫锡锰锶非线性光学晶体及制备方法和应用,该硫锡锰锶化合物的化学式为Sr3MnSn2S8,通过高温固相法制备,相应的硫锡锰锶非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法生长制得。与现有技术相比,本发明得到的非线性光学晶体具有晶体品质良好,透明度高,生长成本低,过程简单,易获得大尺寸晶体等优点;高温法生长得到的硫锡锰锶非线性光学晶体具有较强的硬度,良好的机械性能,易加工,不易破裂,在空气中很稳定,具有较宽的透过波段,本发明的硫锡锰锶非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。
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公开(公告)号:CN105753041B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201610077818.2
申请日:2016-02-03
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及一种LiGaGe2S6化合物和LiGaGe2S6非线性光学晶体及制法和用途;所述的LiGaGe2S6化合物采用固相反应制备而成;所述的LiGaGe2S6非线性光学晶体不具有对称中心,属正交晶系,空间群为F d d 2(43),晶胞参数为采用高温熔体自发结晶法生长;所述的LiGaGe2S6非线性光学晶体用于制备非线性光学器件。与现有技术相比,本发明LiGaGe2S6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段,硬度较大,机械性能好,不易碎裂和潮解,易于加工和保存等优点,具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN109652860A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201910008774.1
申请日:2019-01-04
Applicant: 上海工程技术大学
CPC classification number: C30B29/46 , C01G45/006 , C01P2002/77 , C30B11/00 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及一种硫锡锰锶化合物、硫锡锰锶非线性光学晶体及制备方法和应用,该硫锡锰锶化合物的化学式为Sr3MnSn2S8,通过高温固相法制备,相应的硫锡锰锶非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法生长制得。与现有技术相比,本发明得到的非线性光学晶体具有晶体品质良好,透明度高,生长成本低,过程简单,易获得大尺寸晶体等优点;高温法生长得到的硫锡锰锶非线性光学晶体具有较强的硬度,良好的机械性能,易加工,不易破裂,在空气中很稳定,具有较宽的透过波段,本发明的硫锡锰锶非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。
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公开(公告)号:CN105063756A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201510546178.0
申请日:2015-08-31
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及KYGeS4非线性光学晶体及其生长方法与应用,所述的晶体的化学式为KYGeS4,并且所述的晶体不具有对称中心,属单斜晶系,空间群为P21,其晶胞参数为:β=108.07(2)°,制备时,采用固相反应制备制得粉末状KYGeS4化合物,再通过高温熔体自发结晶法生长,即制得所述的非线性光学晶体KYGeS4,用于制作非线性光学器件。与现有技术相比,本发明非线性光学晶体KYGeS4具有比较宽的透光波段,硬度较大,机械性能好,不易碎裂和潮解,易于加工和保存等优点,具有很好的应用前景。
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