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公开(公告)号:CN113984813A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111134382.3
申请日:2021-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20025
Abstract: 本发明提供了一种高通量薄膜晶体结构表征装置及方法,包括电子枪发射机构、面探测器、低温控制系统、样品台控制装置、样品台、真空系统;利用易聚焦的电子束作为探测源,通过聚焦元件的汇聚作用,可将电子束束斑直径缩小至微米量级,从而提高样品表面的空间分辨率;通过对电子束的偏转作用可以改变电子束的入射角,从而可以根据实际实验需求改变样品表面的空间分辨率;通过样品台移动机构可以实现样品台沿平面内的高精度可控移动,并通过逐一扫描各个样品完成高通量薄膜中所有样品的晶体结构表征,可以用于高通量薄膜晶体结构表征。
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公开(公告)号:CN113533397A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110744044.5
申请日:2021-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N23/20033
Abstract: 本发明提供了一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法。包括低温控制系统、RHEED系统、衬底台、衬底台升降器、中空Z轴驱动器、真空系统。通过调节衬底台与换热装置的相对距离在低温和高温两种工作模式间进行切换。低温工作模式:衬底台背面和换热装置底端完全接触,适于二维材料的低温晶体结构测试和低熔点金属薄膜制备;高温工作模式:换热装置远离衬底台,高真空环境保证了极小的气体对流漏热。本发明在RHEED系统中集成低温控制系统,为二维材料的晶体结构测试提供了低温环境。其中,本发明的有益效果是:结构简单,操作方便,适合原位二维材料的低温晶体结构分析且不破坏样品结构。
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公开(公告)号:CN103294647B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201310172337.6
申请日:2013-05-10
Applicant: 上海大学
IPC: G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种基于正交张量近邻保持嵌入的头相关传输函数降维方法。包括:首先对给定的一组头相关传输函数进行张量表述,并构建近邻图;然后计算近邻图中的权重矩阵;根据上述步骤得到的权重矩阵,在投影矩阵正交性的约束下,求解泛化特征向量问题,寻找到高维头相关传输函数嵌入到低维数据空间的投影矩阵;利用上述得到的投影矩阵可以对头相关传输函数高维张量进行特征提取,挖掘出蕴藏在高维空间中的头相关传输函数的低维特征,并且保持了高维空间中头相关传输函数的局部流形结构。真实的反映了头相关传输函数数据的分布,克服了传统降维方法对原始数据局部流形结构的破坏,能广泛用于3D音频信号处理等领域。
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