集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备

    公开(公告)号:CN102983064B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201210442424.4

    申请日:2012-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统以及电子元件测试系统组成,真空腔室由高真空内腔室和低真空外腔室组成:外腔室顶端固定紫外灯光源;内腔室具有高度可调节的样品台,其内置加热和水冷系统。本发明能够准确控制紫外光/臭氧对材料的表面处理过程,如石墨烯,并对微纳电子元件的电学性质进行原位测量和表征,它在材料的表面清洗、改性以及电子元件的电学性能原位表征方面具有重要的应用价值。

    一种微纳结构太阳能电池及其背面陷光结构的制备方法

    公开(公告)号:CN103943716A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201310017974.6

    申请日:2013-01-17

    Inventor: 李海华 王庆康

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/02366

    Abstract: 本发明提供一种微纳结构太阳能电池及其背面陷光结构的制备方法,该方法先提供一玻璃基底;然后利用刻蚀工艺刻蚀所述玻璃基底,使得玻璃基底表面为柱状阵列结构;最后采用离子束刻蚀技术,旋转一预定角度,获到表面为无棱角周期性微纳结构的玻璃基底,该无棱角周期性微纳结构即为陷光结构。该发明提供的陷光结构位于太阳能电池的背面,通过该结构的反射、折射和散射,增加了光在太阳能电池中的光程,此外,利用反应离子刻蚀技术和离子束刻蚀技术获得表面无棱角周期性的微纳陷光结构后,可以避免后续沉积电极和硅基薄膜时出现沉积不均匀、导电层断路等问题。

    矢量式AFM纳米加工系统的纳米压印模版的制备方法

    公开(公告)号:CN102303840A

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN201110172544.2

    申请日:2011-06-24

    Abstract: 一种纳米制造技术领域的矢量式AFM纳米加工系统的纳米压印模版的制备方法,通过对所需要的纳米结构进行矢量化编程得到加工宏文件以控制针尖的运动,并AFM进入成像模式扫描状态,然后开始扫描样品表面,待扫描过程稳定并得到稳定的重复性好的扫描图像后,进入脚本程序模式,通过调用第三步中得到的加工宏文件并导入加工系统中开始加工;待加工完成后,进入实时成像模式,再次扫描来获得加工结构的表面形貌结构图;最后利用所制备的纳米图形结构作为掩膜,结合高选择性各向异性湿法刻蚀技术,将AFM电场诱导阳极氧化制备出的纳米结构图形转移到基底上,进而制造出纳米结构模版。

    微动量驱动连续纳米往复位移驱动器

    公开(公告)号:CN1206792C

    公开(公告)日:2005-06-15

    申请号:CN02137256.X

    申请日:2002-09-29

    Inventor: 王庆康

    Abstract: 一种微动量驱动连续纳米往复位移驱动器属于纳米技术领域。压电晶体轴向一端指向其相应的动量接受器,另一端与质量块连接,质量块另一侧又与弹簧压缩盘联接,弹簧压缩盘联接在动量驱动杆的一端,弹簧压缩盘径向尺寸大于动量驱动杆的径向尺寸,弹簧套置在动量驱动杆上,并在弹簧压缩盘和固定支架的“L”形的翻角端之间,固定支架有二个,两动量驱动杆的一端分别搁置在两固定支架的通孔上。运动杆的两端分别设置动量接受器,运动杆耦合在支架轴承中。动量驱动杆的另一端分别指向其相对的动量接受器。本发明不受空间限制,驱动运动杆产生纳米位移,不存在运动杆回复的因素,控制运动杆的自由随机滑动,不存在横向振动。

    铟镓砷光电探测器
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1064372A

    公开(公告)日:1992-09-09

    申请号:CN92108310.6

    申请日:1992-01-21

    Inventor: 史常忻 王庆康

    Abstract: 锢镓砷光电探测器,属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、InP增强层、金属电极组成。具有结构新颖、无需掺Fe、工艺简单、稳定可靠、成品率高,势垒增强效果好,长波长(1.3~1.55微米)响应,高速,低暗电流,特别是便于与场效应管(FET)同片集成的优点,是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。

    铟镓砷光电探测器
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1064371A

    公开(公告)日:1992-09-09

    申请号:CN92108309.2

    申请日:1992-01-21

    Abstract: 锢镓砷光电探测器,属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、P型掺杂In0.53Ga0.47As增强层、金属电极组成。具有结构新颖、工艺简单、稳定可靠、势垒增强效果好,长波长(1.3~1.55微米)响应,高速,低暗电流,特别是便于与场效应管(FET)同片集成的优点,是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。

    共布线微电极阵列芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN103663342B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310573699.6

    申请日:2013-11-15

    Inventor: 李海华 王庆康

    Abstract: 本发明公开了一种共布线微电极阵列芯片及其制备方法;该微电极阵列芯片的微电极阵列结构层包括以光栅阵列结构排布的若干微电极以及叠加在所述光栅阵列上的呈点状阵列结构排布的若干微电极。本发明的芯片利用共布线原理和光刻套刻技术,采用具有光栅阵列结构的第一掩模板、具有点状阵列结构的第二掩模板,通过金属沉积工艺、离子束刻蚀技术、湿法刻蚀工艺等制备而得。本发明实现了将多种不同微电极阵列集于一芯片上,充分利用了生物芯片的效率,降低了成本,能够满足不同细胞、不同用途的生物检测和记录;由于电极的引线布局与商用微电极芯片的完全一致,还使得其在检测时具有良好的兼容性和通用性,是一种可标准化和批量化生产的电极阵列芯片。

    一种薄膜太阳能电池陷光结构玻璃的制备及其应用

    公开(公告)号:CN103178156A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201310039891.7

    申请日:2013-02-01

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池陷光结构玻璃的制备及其应用,该方法利用湿法刻蚀,在玻璃基片上得到半球凹坑阵列结构,结构具有周期性和对称性,拥有光子晶体的性能。首先通过光刻和显影,将模板上的图形转移到光刻胶中,之后通过去铬溶液,将图形转移到铬层中,最后通过刻蚀,在平板玻璃上得到微纳周期结构。刻蚀包括湿法刻蚀和干法刻蚀。此结构用于薄膜太阳能电池衬底,可提高入射光的透射衍射,延长光子在吸收层的传播路径,从而增加薄膜电池吸收层的陷光能力,提高电池的能量转换效率。本发明具有材料廉价、工艺简单的优点,可有效提高薄膜电池的陷光能力并降低生产成本。

    集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备

    公开(公告)号:CN102983064A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210442424.4

    申请日:2012-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种集紫外光/臭氧表面处理与电学性质原位测试的真空设备,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统以及电子元件测试系统组成,真空腔室由高真空内腔室和低真空外腔室组成:外腔室顶端固定紫外灯光源;内腔室具有高度可调节的样品台,其内置加热和水冷系统。本发明能够准确控制紫外光/臭氧对材料的表面处理过程,如石墨烯,并对微纳电子元件的电学性质进行原位测量和表征,它在材料的表面清洗、改性以及电子元件的电学性能原位表征方面具有重要的应用价值。

    多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102227002A

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN201110143760.4

    申请日:2011-05-31

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法,该多晶硅纳米线太阳能电池包括:由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极,透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法,采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层,并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜,在常温常压下,制备大面积多晶硅纳米线,制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池,提高了太阳能电池光电转换效率。

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