公开(公告)号：CN106563632A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610944618.2

申请日：2016-11-02

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 连璐 ,  奚馨 ,  吴欣凯 ,  何谷峰

IPC: B05D7/24 ,  B05D7/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B05D7/24 ,  B05D7/04 ,  B05D2203/35 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种具有超低粗糙度高导电性的金属纳米线透明导电薄膜的低温制备方法，该方法采用的步骤包括：在基底表面制备一定厚度的透明柔性缓冲层，将金属纳米线均匀铺展于柔性缓冲层之上，经低温干燥之后，通过在其上常温加压的方法，使得金属纳米线之间实现完全焊接，线间接触电阻基本消除，得到超高导电性薄膜。同时，金属纳米线嵌入柔性缓冲层当中，极大降低薄膜表面粗糙度。本发明便于操作，可用于大规模生产。整体流程在低温环境下进行，解决了透明导电薄膜在不耐高温的柔性高聚物基板上的应用难题，同时，其具有超低表面粗糙度、超高导电性及高透光率，可作为电极用于有机发光二极管、传感器、太阳能电池等光电领域。

公开(公告)号：CN105523538A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610005776.1

申请日：2016-01-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘瑞丽 ,  奚馨 ,  吴东清 ,  韩璐

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16

Abstract: 本发明公开了一种二维有序介孔碳片的制备方法，该制备方法以层状双金属氢氧化物为基底，以非离子表面活性剂为结构导向剂，以高分子预聚体为碳前驱体，通过水热法在层状双金属氢氧化物表面诱导自组装，然后将自组装得到的产物依次通过冷冻干燥、惰性气体下高温碳化、去除非离子表面活性剂，从而形成有序介孔结构，最后通过对有序介孔结构进行刻蚀，并去除层状双金属氧化物，从而形成二维有序介孔碳片。本发明的二维有序介孔碳片的制备方法成功地将现有技术中的三维有序介孔材料低维化，同时通过调节投料比，可以获得孔道取向可控的二维有序介孔碳片，能够满足其在能量存储和转化等领域的应用，该方法工艺简单、可重复性高、反应条件温和。