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公开(公告)号：CN114121392B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111598829.2
申请日：2019-01-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及热敏电阻元件及其制造方法。该热敏电阻元件具备：热敏电阻基体，由热敏电阻材料形成；导电性中间层，形成于热敏电阻基体上；及电极层，形成于导电性中间层上，导电性中间层是相互接触的RuO2粒子沿着热敏电阻基体的表面的凹凸均匀地分布并且在RuO2粒子的间隙夹杂有SiO2的层，且以沿着热敏电阻基体的表面的凹凸而粘附于热敏电阻基体的状态形成。
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公开(公告)号：CN112567484B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201980054000.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种热敏电阻，具备：热敏电阻基体(11)、形成于热敏电阻基体(11)的表面的保护膜(20)及分别形成于热敏电阻基体(11)的两端部的电极部，其中，保护膜(20)由硅氧化物构成，观察热敏电阻基体(11)与保护膜(20)的接合界面的结果，所观察到的剥离部(21)的长度L与观察视场中的接合界面的长度L0之比L/L0为0.16以下。
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公开(公告)号：CN113454736A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080014946.7
申请日：2020-01-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及一种热敏电阻的制造方法，具有：基底电极层形成工序(S01)，在由热敏电阻材料构成的热敏电阻晶片的两面形成基底电极层；芯片化工序(S02)，将所述热敏电阻晶片切断以实现芯片化，获得带基底电极层的热敏电阻芯片；保护膜形成工序(S03)，在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的整个面形成由氧化物构成的保护膜；覆盖电极层形成工序(S04)，在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S05)，进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通，所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极和所述覆盖电极的所述电极部。
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公开(公告)号：CN113424277A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014059.X
申请日：2020-02-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及一种热敏电阻的制造方法及热敏电阻，所述热敏电阻的制造方法具有：基底电极层形成工序(S03)，在热敏电阻基体的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成基底电极层；氧化物层形成工序(S04)，在所述基底电极层的表面形成氧化物层；覆盖电极层形成工序(S05)，在所述氧化物层的表面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S06)，进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通，所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极层和所述覆盖电极层的所述电极部，并且在导通热处理工序(S06)之后，具备在所述覆盖电极层的表面形成金属镀敷层的镀敷工序(S07)。
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公开(公告)号：CN104036843B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410053316.7
申请日：2014-02-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种ITO颗粒，用于太阳能电池的背面电极时减少ITO颗粒与发电层的界面上的能垒，由此提高太阳能电池的发电效率。本发明的ITO颗粒在以金为基准通过开尔文法反复进行测定时，具有4.8～5.3eV范围的功函数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107076897A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052682.3
申请日：2015-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该红外线屏蔽层叠体具有：含ITO粒子层；及外涂层，包覆所述含ITO粒子层的上表面，在所述含ITO粒子层内，核壳粒子以彼此接触的状态存在，所述核壳粒子具有作为核的ITO粒子和作为壳而包覆所述核的绝缘物质。
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公开(公告)号：CN103903674B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310740988.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种ITO粉末、ITO导电膜用涂料及透明导电膜的制造方法。本发明的课题在于，利用含有多晶ITO颗粒的涂料制造由ITO导电膜构成的透明导电膜时，降低透明导电膜的电阻。本发明的ITO粉末由如下形成的多晶ITO颗粒的聚集体构成，即在棒状中心核的周围，比所述中心核短的多个棒状体以沿着与棒状中心核的长度方向相同的方向且围绕棒状中心核的方式一体形成。所述多晶ITO颗粒的平均长度L在0.2～5.0μm的范围，并且将所述多晶ITO颗粒的平均直径设为D时，L/D在2～20的范围。
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公开(公告)号：CN103992042A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410049873.1
申请日：2014-02-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明提供ITO粉末、ITO导电膜用涂料和透明导电膜的制造方法，在利用含有多晶ITO颗粒的涂料来制造由ITO导电膜构成的透明导电膜时，降低透明导电膜的电阻。该ITO粉末包含：第1粉末(11)，由具有各向异性的多晶ITO颗粒的聚集体构成，该多晶ITO颗粒的聚集体由短于棒状中心核(11a)的多个棒状体(11b)在所述中心核的周围以沿着与棒状中心核的长度方向相同的方向且包围棒状中心核的方式一体形成；及第2粉末，由细于第1粉末的ITO颗粒构成。第1粉末的平均长轴直径及平均短轴直径分别设为L1及S1时，L1为200～5000nm且L1/S1为2～20；第2粉末的平均长轴直径及平均短轴直径分别设为L2及S2时，L2为10～100nm且L2/S2为1～3。以相对于第1及第2粉末的总量以质量比计为0.01～0.5的比例来混合第2粉末。
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公开(公告)号：CN103693679A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310295783.6
申请日：2013-07-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明提供一种在低压下成为压坯时显示出高导电性的表面改性的ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法。本发明的表面改性的ITO粉末，将对由该ITO粉末构成的压坯施加0.196～29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y并将所述压坯的相对密度设为X时，所述体积电阻率与所述相对密度之间的关系以Y=aXn来拟合，a为5.0×10-3以下，且n为-10以上。
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公开(公告)号：CN103482686A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310231700.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G19/00
CPC classification number: C01G19/02 , B82Y30/00 , C01G1/02 , C01G19/00 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C01P2006/62 , C01P2006/63 , C01P2006/64 , G02B1/00 , G02B5/207 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种ITO膜及用于制造该ITO膜的ITO粉末、ITO粉末的制造方法及ITO膜的制造方法。所述ITO膜具有4.0eV～4.5eV范围的能隙。
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