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发明公开
基板的制造方法及基板处理装置无效

公开(公告)号：CN101034659A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085723.6

申请日：2007-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮下宏二 , 林正美 , 山部贵人

IPC: H01L21/00 , H01L21/321 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/43 , H01L29/786 , H01L23/532

Abstract: 本发明提供了一种不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物附着于基板的基板制造方法及基板处理装置。本发明的基板制造方法是在基板上形成含钼层，在上述含钼层露出的状态下，对上述基板进行至少使用氮气的常压等离子体处理的方法。本发明提供了通过这样的构成，不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物对基板附着的基板制造方法。

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