公开(公告)号：CN107819270B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201710824226.7

申请日：2017-09-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男 ,  西川智志

IPC: H01S5/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制高阶模式而不使滤光区域的长度变长的宽幅半导体激光器元件。宽幅半导体激光器装置的特征在于，具有波导通路区域和滤光区域。波导通路区域具有被注入电流的有源区域和夹着该有源区域的包层区域。将有源区域相对于滤光区域设为凸出或凹陷，促进滤光区域处的高阶模式的扩展。

公开(公告)号：CN107819270A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710824226.7

申请日：2017-09-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男 ,  西川智志

IPC: H01S5/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制高阶模式而不使滤光区域的长度变长的宽幅半导体激光器元件。宽幅半导体激光器装置的特征在于，具有波导通路区域和滤光区域。波导通路区域具有被注入电流的有源区域和夹着该有源区域的包层区域。将有源区域相对于滤光区域设为凸出或凹陷，促进滤光区域处的高阶模式的扩展。

公开(公告)号：CN100355162C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410058890.8

申请日：2004-08-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鴫原君男 ,  川崎和重

IPC: H01S5/028

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34313

Abstract: 提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等。半导体激光器增益变成最大的波长下的低反射膜的反射率优选为小于等于1%。