公开(公告)号：CN1156894C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00800777.2

申请日：2000-01-14

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。

公开(公告)号：CN1146027C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN00118744.9

申请日：2000-06-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岡本達樹 ,  小川哲也 ,  古田啓介 ,  时岡秀忠 ,  笹川智宏 ,  西前顺一 ,  井上満夫 ,  佐藤行雄

IPC: H01L21/324 ,  C30B33/02 ,  B23K26/06

CPC classification number: B23K26/0732 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026

Abstract: 光学系统及其装置和使用该光学系统制造半导体装置的方法。在激光热处理方法中，提供控制形成高性能薄膜用的激光照射剖面的光学系统。在向形成于基板上的膜上照射长方形束的光学系统中，通过用强度分布成形装置使长度方向的强度分布均匀，短边方向保持振荡激光的定向性等向的结构，能在振荡激光性质限制的界限内进行聚光，在基板上的膜上得到最大限度的强度梯度。因此，可在基板上的膜上形成陡峻的温度分布，其结果，可形成高性能薄膜。

公开(公告)号：CN1338770A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01141002.7

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  时冈秀忠 ,  小川哲也

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 用比较低的温度制造优良的多晶薄膜半导体器件。在形成非晶半导体膜后,在固相状态使其结晶,其后,照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大的脉冲激光,使半导体膜的一部分熔化。

公开(公告)号：CN1304547A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00800777.2

申请日：2000-01-14

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  笹川智广

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。