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11.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN109891579A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780066212.1

申请日：2017-10-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 多田晴菜 , 中岛泰 , 三田泰之

IPC: H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18

Abstract: 在半导体装置(101)中，散热部件(200)连接于功率模块(100)。在金属部件(4)中形成有多个凹部或凸部的任意一者，在散热部件(200)中形成有多个凹部或凸部的任意另一者。金属部件(4)和散热部件(200)在多个凹部和多个凸部接触的多个凹凸部处成为一体。多个凹凸部的一部分即第1凹凸部(C1、V1)与多个凹凸部中的第1凹凸部(C1、V1)之外的第2凹凸部(C2、V2)相比，高度方向的尺寸大。第1凹凸部(C1、V1)的壁面包含具有相对于高度方向的第1倾斜角度的第1壁面部分、和具有与第1倾斜角度不同的第2倾斜角度的第2壁面部分。

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