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公开(公告)号：CN113053839A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011516715.4
申请日：2020-12-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/13 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供即使在安装冷却体的设置面具有翘曲形状的情况下也会实现恰当的散热特性的半导体装置。半导体装置包含半导体元件、基座板及多个接触材料。基座板在表面保持有半导体元件，并且在背面能够安装用于对半导体元件进行冷却的冷却体。多个接触材料离散地配置于基座板的背面。多个接触材料用于填埋基座板和冷却体之间的散热路径中的间隙。多个接触材料的每一者具有基于基座板的背面处的翘曲形状的体积。多个接触材料中的翘曲形状的凹部处的接触材料的体积比翘曲形状的凸部处的接触材料的体积大。
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公开(公告)号：CN112880850A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110034188.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。
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公开(公告)号：CN110702250A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910600380.5
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。
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公开(公告)号：CN110176446A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910117423.4
申请日：2019-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 增田晃一
Abstract: 提供如下半导体装置，即，能够不对主电路部的电气特性造成影响地实施是否需要使温度检测用元件相对于半导体装置内部的流过主电流的电路绝缘的设计变更。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板，其在绝缘层的一个主面具有金属板，在另一个主面具有第一导体、第二导体、第三导体、第四导体；半导体元件，其背面电极与第一导体电连接，表面电极与第二导体电连接；温度检测用元件，其一个电极与第三导体电连接，另一个电极与第四导体电连接；第一端子，其与第三导体电连接；第二端子，其配置为能够与第四导体进行导线配线；以及第三端子，其与第二导体电连接，第四导体配置为能够与第二导体进行导线配线。
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