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11.

发明公开
电力用半导体装置有权

公开(公告)号：CN114388611A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111203053.X

申请日：2021-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原口友树 , 增冈史仁 , 陈则

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明的技术的目的在于抑制电力用半导体装置的耐压下降。半导体基体(11)具有：n‑型的半导体基板(3)；以及至少1个p型扩散层(4)，其在终端区域(2)处的半导体基板(3)的第1主面(S1)侧的表层彼此分离地形成。电力用半导体装置(101)具有在绝缘膜(5、15)之间的半导体基体(11)的第1主面(S1)之上形成的至少1个绝缘膜(25)。半绝缘膜(8)在绝缘膜(25)之上与绝缘膜(25)接触，在绝缘膜(5、15)之间的未形成绝缘膜(25)的至少大于或等于2个区域与第1主面(S1)接触。

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