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公开(公告)号：CN115885058A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180051365.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立研究开发法人物质•材料研究机构
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明提供一种GaN晶体，其可用于在如GaN‑HEMT这样的横向器件结构的氮化物半导体器件中应用的衬底；以及一种GaN衬底，其可用于如GaN‑HEMT这样的横向器件结构的氮化物半导体器件的制造。该GaN晶体具有5cm2以上的相对于(0001)晶面的倾斜为10度以下的表面，Mn浓度为1.0×1016atoms/cm3以上且小于1.0×1019atoms/cm3，总施主杂质浓度小于5.0×1016atoms/cm3。
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