电致发光元件
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100463578C

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200480006350.3

    申请日:2004-03-11

    Abstract: 本发明涉及包括阴极、电致发光层、透明电极层、含有散射光的粒子的低折射率材料的基体的渗透光扩散层及透光体按此顺序配置的电致发光元件。该电致发光元件,除了与透明基板的空气层的界面外,在透明电极层的光取出侧界面的全反射减少,光的取出效率显著提高。另外,在设置隔离层时,可以保护透明电极层或电致发光层,并可以抑制电致发光色素的老化及黑色斑点的发生,提高元件的寿命。

    电致发光元件
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1759637A

    公开(公告)日:2006-04-12

    申请号:CN200480006350.3

    申请日:2004-03-11

    Abstract: 本发明涉及包括阴极、电致发光层、透明电极层、含有散射光的粒子的低折射率材料的基体的渗透光扩散层及透光体按此顺序配置的电致发光元件。该电致发光元件,除了与透明基板的空气层的界面外,在透明电极层的光取出侧界面的全反射减少,光的取出效率显著提高。另外,在设置隔离层时,可以保护透明电极层或电致发光层,并可以抑制电致发光色素的老化及黑色斑点的发生,提高元件的寿命。

    场效应晶体管
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1672264A

    公开(公告)日:2005-09-21

    申请号:CN03817832.X

    申请日:2003-07-31

    Abstract: 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层,由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率,高导通电流和低漏电流,以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3),被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4),如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6),其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(%)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(%)。所提供的良好柔韧性,可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝,进而获得高迁移率,高导通电流和低漏电流,以及高电流开/关比。

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