公开(公告)号：CN1187803C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02106972.7

申请日：2002-03-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田顺治 ,  山田裕 ,  有吉润一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/1126 ,  H01L27/112

Abstract: 半导体装置一掩膜ROM的稳定制造法。其一，在基片上间隔栅绝缘膜形成栅电极，邻接栅电极形成源、漏区，间隔将栅电极遮覆的层间绝缘膜形成铝布线；以在铝布线上形成的光刻胶和该铝布线为掩膜向基片表层注入杂质离子，在设于相邻各元件区域的铝布线上不形成光刻胶。其二，在基片31上间隔栅绝缘膜35形成栅电极38，邻接该栅电极38形成源、漏区，间隔将栅电极38遮覆的层间绝缘膜44形成铝布线45，以所述铝布线45上形成的光刻胶47和该铝布线45为掩膜向基片表层注入杂质离子，特征：在向某一元件注入杂质离子的区域和向相邻各元件分别注入杂质离子的区域采用有不同开口部分47a、47b(开口径X3＜X4)的光刻胶47进行杂质离子注入。