公开(公告)号：CN100460214C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610121985.9

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李承铉 ,  成研周 ,  宋明原 ,  俞炳旭 ,  姜泰旻 ,  成镇旭 ,  鲁硕原 ,  金茂显 ,  金善浩

IPC: B41J2/38 ,  B41J2/315 ,  B41M5/26 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。

公开(公告)号：CN1966280A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610146555.2

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  金茂显 ,  李相奉 ,  金善浩

IPC: B41M5/382 ,  B41M5/40 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置及使用该LITI装置制造电子器件的方法。LITI装置包括腔体、基底支撑件、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体器件转印到中间电子器件的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间器件表面之间的紧密接触。通过形成在LITI装置的彼此分隔地置于可转印层和中间器件表面之间的两个组件中的磁性材料产生磁力。磁体或磁性材料形成在LITI装置的两个下面的组件中：1)中间器件和膜供体器件；2)中间器件和晒版器件；3)基底支撑件和膜供体器件；或4)基底支撑件和晒版器件。

公开(公告)号：CN1941400A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139384.0

申请日：2006-09-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  金茂显 ,  成镇旭 ,  金善浩 ,  宋明原

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0013 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法。该有机发光二极管包括：像素限定层，位于基底上，该像素限定层具有在其中的开口并具有邻近于所述开口形成的至少一个阶梯部分；有机层，位于所述开口中，并至少部分地覆盖所述至少一个阶梯部分。

公开(公告)号：CN1967865A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610146556.7

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  金茂显 ,  李城宅 ,  李相奉 ,  金善浩

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/00 ,  B41M5/382

Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置和利用该装置制造电子设备的方法。所述LITI装置包括室、基底支撑物、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体装置转印到中间电子设备的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间设备的表面之间的紧密接触。通过在LITI装置中的插入可转印层和中间设备表面而分开的两个组件中形成的磁性材料来产生磁力。在LITI装置的两个下面的组件中形成磁体或者磁性材料：1)中间设备和膜供体装置；2)中间设备和晒版器件；3)基底支撑物和膜供体装置；或者4)基底支撑物和晒版器件。