公开(公告)号：CN1769066B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200510113840.X

申请日：2005-10-19

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 姜泰旻 ,  李城宅 ,  金茂显 ,  陈炳斗 ,  宋明原 ,  李在濠 ,  金镇洙

IPC: B41M5/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: B41M5/46 ,  B41M5/265 ,  C23C14/048 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/56 ,  Y10S430/146

Abstract: 一种用在有机发光显示器中的供体基板包括基底基板和设置在基底基板上的转印层。插置在基底基板与转印层之间的选择性发热结构。选择性发热结构具有通过光热转换发热的发热区和接触发热区的非发热区。由于使用供体基板，因此不需精确地控制激光束的宽度便可能形成微小的具有高精度的转印层图案。有机发光显示器的制造方法包括在受体基板上提供供体基板，将激光束照射到供体基板上，以及在受体基板的像素电极上形成转印层图案。

公开(公告)号：CN1982076B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610148550.3

申请日：2006-11-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  杨南喆 ,  李在濠 ,  宋明原 ,  郭鲁敏

IPC: B41M5/382 ,  B41M5/40 ,  H01L21/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: B41M5/38207 ,  B41M2205/38 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像方法以及采用该方法的有机发光二极管的制造方法，其中可以利用磁力有效地层压供体膜和受体基板。该激光诱导热成像方法包括：在处理室的基板台上设置受体基板，其中第一磁体形成在该受体基板的一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间磁力来层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。该激光诱导热成像方法改善了供体膜和受体基板之间的粘附力，从而改善了有机发光二极管的寿命、产量和可靠性。

公开(公告)号：CN1955841B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200610137142.8

申请日：2006-08-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李在濠 ,  姜泰旻 ,  李城宅 ,  金镇洙

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L51/56 ,  H01L51/50

CPC classification number: B41M5/265 ,  B41M3/003 ,  H01L51/0013

Abstract: 一种激光诱导热成像(LITI)掩模以及利用该掩模的有机电致发光器件制造方法，提供一种LITI掩模，其中拐角区域被加固以便在受主基板的像素部分的拐角处增大受主基板和转移层之间的粘合力，以及利用这种LITI掩模的有机电致发光器件制造方法。所述LITI掩模包括：第一图案部分；和置于包括所述第一图案部分的至少一侧上顶点的部分上的第二图案部分；其中所述第二图案部分的面积范围为8至8500μm2。

公开(公告)号：CN101068042B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200710102253.X

申请日：2007-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 权宁吉 ,  李善姬 ,  李在濠 ,  金茂显 ,  李城宅 ,  杨南喆

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H01L21/00 ,  B41M5/40 ,  B41M5/382

CPC classification number: H01L51/0013 ,  H01L27/3241

Abstract: 本发明公开了一种用于平板显示器的供体基底，该基底包括：基膜；光-热转化层，位于基膜上；第一缓冲层，位于光-热转化层上，第一缓冲层包含发射主体材料；转印层，位于第一缓冲层上；第二缓冲层，位于转印层上，第二缓冲层包含与第一缓冲层的发射主体材料相同的发射主体材料。

公开(公告)号：CN102237392A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110112500.0

申请日：2011-04-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  姜泰旻 ,  李在濠 ,  宣轸元 ,  徐旼彻

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示设备。有机发光显示设备包括：多个薄膜晶体管(TFT)；平坦化层，覆盖所述多个TFT；多个像素电极，形成在平坦化层上，每个像素电极利用穿过平坦化层的通孔连接到所述多个TFT中的对应的TFT，每个像素电极具有发光部分和非发光部分，每个通孔位于距离围绕通孔的每个发光部分最远的位置；像素限定层，形成在平坦化层上，以覆盖通孔和非发光部分中的每个；多个有机层，每个有机层包括发射层并设置在对应的发光部分中；对电极，设置在每个有机层上。

公开(公告)号：CN1747611B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200410095453.3

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 宋明原 ,  郑昊均 ,  李城宅 ,  金茂显 ,  陈炳斗 ,  姜泰旻 ,  李在濠

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  C09K11/06 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0013 ,  B41M5/385 ,  B41M5/42 ,  B41M5/426 ,  B41M5/46 ,  B41M2205/38 ,  C23C14/048 ,  H01L51/56 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/24479

Abstract: 提供一种用于激光诱导热成像法的供体衬底和一种使用其制造的有机场致发光显示设备。该供体衬底包括：基膜；在该基膜上形成的光-热转换层；在该光热转换层整个表面上形成的缓冲层；在该缓冲层上形成的金属层和由有机材料形成并在该金属层上形成的转移层，因而，通过使用该激光诱导热成像法转移小分子材料而提高转移图案的性质。

公开(公告)号：CN100565967C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610166777.0

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 高三一 ,  俞炳旭 ,  成妍周 ,  李在濠 ,  李承铉 ,  蒋胜旭 ,  杨南喆 ,  宋明原

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明公开了一种有机发光装置及其制造方法，所述装置具有阳极，即由在上发光结构中的单金属层构成下电极。所述有机发光装置包括基底、设置在所述基底上并且包括金属的阳极、设置在所述阳极上的金属氟化物层、和设置在所述金属氟化物层上并且至少包括有机发光层的有机层、和设置在所述有机层上的阴极。阳极通过使用含氟的CF3气体或SF6气体的等离子体法进行表面处理时，单金属层可以被用作阳极，由此改善了发光效率。