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公开(公告)号：CN109791376B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201780060916.8
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/40 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在经图案化的抗蚀剂膜上而使图案反转的涂布用组合物的制造方法。解决手段是一种涂布于经图案化的抗蚀剂膜的组合物的制造方法，其包含下述工序：将水解性硅烷在非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而获得水解缩合物的工序(A)；对该水解缩合物进行溶剂置换，而将该非醇系亲水性溶剂置换成疏水性溶剂的工序(B)。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(1)；将该抗蚀剂膜曝光和显影的工序(2)；对工序(2)的显影中或显影后获得的经图案化的抗蚀剂膜涂布通过上述制造方法获得的组合物，而在图案间形成涂膜的工序(3)；将经图案化的抗蚀剂膜蚀刻除去而使图案反转的工序(4)。一种制造方法，曝光使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)进行。一种制造方法，显影为采用有机溶剂的负型显影。
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公开(公告)号：CN113785243A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032980.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。
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公开(公告)号：CN110494807A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880023369.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , C08G77/22 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成不进行蚀刻而仅通过化学溶液就能够将光刻后的掩模残渣除去的抗蚀剂下层膜的组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，其用于形成含有硅的抗蚀剂下层膜，该含有硅的抗蚀剂下层膜为在通过光刻工艺将图案转印于下层后用包含过氧化氢的化学溶液进行掩模层的除去的工序中作为该掩模层而使用的膜，上述组合物包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷包含：包含含有羰基的官能团的结构单元。上述记载的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物中，包含含有羰基的官能团的结构单元为包含环状酸酐基、环状二酯基、或二酯基的结构单元。聚硅氧烷进一步包含：包含含有酰胺基的有机基的结构单元。酰胺基为磺酰胺基、或二烯丙基异氰脲酸酯基。
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公开(公告)号：CN118647935A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020468.4
申请日：2023-02-17
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/20 , H01L21/027
Abstract: 一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成在含有金属的抗蚀剂膜与基板之间形成的含有硅的抗蚀剂下层膜，所述含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物含有：[A]成分：聚硅氧烷；以及[C]成分：溶剂，上述聚硅氧烷包含来源于下述式(A‑1)所示的水解性硅烷(A)的结构单元。(在式(A‑1)中，a表示1～3的整数。b表示0～2的整数。a+b表示1～3的整数。R1表示具有不饱和键并且具有环结构的有机基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116868318A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015569.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312
Abstract: 本发明涉及一种具有薄膜的基板，该基板具有：所述薄膜，具有下述式(1)所示的化合物中的Si‑R1基；以及所述基板，在其表面配置有具有所述Si‑R1基的所述薄膜。Si(R1)(R2)n(R3)3‑n…式(1)(所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116547781A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180079667.3
申请日：2021-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供可以抑制在形成涂布膜时可能发生的微小粒子等引起的缺陷产生的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]聚硅氧烷；[B]标准沸点为230.0℃以上，并且，下述式(1)所示的二醇化合物：(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基或碳原子数3～4的酰基，n表示3以上的整数)；以及[C]溶剂(但是相当于[B]化合物的化合物除外)。
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公开(公告)号：CN113906084A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080038844.9
申请日：2020-03-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/04 , C09D5/00 , C08L83/04 , C09D183/06 , C09D183/08 , G03F7/11 , C09D7/63
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含：在碱性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(A)；在酸性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(B)；以及溶剂。
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公开(公告)号：CN119487453A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051325.X
申请日：2023-07-04
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/02 , C08G77/04 , C08L83/04 , C08L101/00 , C09D183/04 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种叠层体的制造方法，上述叠层体具有表面改性层和半导体基板，所述制造方法包含下述工序：将含有聚合物和溶剂的表面改性剂涂布在半导体基板上，然后进行烧成，使上述聚合物交联，获得表面改性层前体的第1工序；以及使上述表面改性层前体与薄化液接触从而使上述表面改性层前体薄，获得膜厚5nm以下的表面改性层的第2工序。
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