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公开(公告)号：CN116504843A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310100911.0
申请日：2023-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H10K59/121
Abstract: 一种晶体管包括氧化物半导体层、在氧化物半导体层上彼此间隔开设置的源电极和漏电极、与氧化物半导体层间隔开的栅电极、设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在栅电极和栅极绝缘层之间并掺杂有金属的石墨烯层。
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