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公开(公告)号：CN112802846A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010794199.5
申请日：2020-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 公开了垂直型非易失性存储器装置及其制造方法。所述垂直型非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和延伸区，延伸区从单元阵列区沿第一方向延伸并且包括接触件；沟道结构，从基底沿竖直方向延伸；第一堆叠结构，包括沿着沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；多个划分区，沿第一方向延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上划分单元阵列区和延伸区；在延伸区中，两个绝缘层坝布置在彼此相邻的两个划分区之间；第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；以及电极垫，连接到延伸区中的第一栅电极层。
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