公开(公告)号：CN1979814A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610165951.X

申请日：2006-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣浩 ,  金龙泰 ,  朴元虎 ,  金炅焕 ,  朴志薰

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供了一种制造电可擦除和可编程只读存储器(EEPROM)的制造方法，其包括在具有存储晶体管区和选择晶体管区的半导体衬底中形成限定有源区的隔离图案。在有源区上形成具有隧穿区的栅极绝缘层。在具有栅极绝缘层的所得结构上形成第一导电层。第一导电层被构图以形成暴露隔离图案顶表面的开口。进行该构图使得选择的开口和与该开口相邻的有源区之间的距离根据设置在该开口下面的隔离图案的宽度而改变。本发明还提供了相应的EEPROM。