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公开(公告)号：CN112349727A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010418938.0
申请日：2020-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置。所述装置可以包括：衬底上的第一源导电图案，其包括包含第一晶粒的多晶材料，衬底可以包括包含第二晶粒的多晶材料，第一晶粒的粒度小于第二晶粒的粒度；堆叠件，其包括多个栅电极，所述多个栅极堆叠在第一源导电图案上；以及竖直沟道部分，其穿透堆叠件和第一源导电图案，并且竖直沟道部分与第一源导电图案的侧表面接触。
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