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发明公开
半导体器件、器件和封装审中-实审

公开(公告)号：CN113851448A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202110709426.4

申请日：2021-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩知 , 白承祐 , 金炳圭 , 朴相俊 , 赵星东

IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L25/18

Abstract: 本公开提供半导体器件、器件和封装。该器件包括：基板；在基板上的外围电路和第一接合焊盘；围绕第一接合焊盘的侧表面的第一绝缘结构；接触第一接合焊盘的第二接合焊盘；在第一绝缘结构上的第二绝缘结构；在第二绝缘结构上的钝化层；上绝缘结构，在钝化层和第二绝缘结构之间；阻挡盖层，在上绝缘结构和钝化层之间；导电图案，在上绝缘结构中彼此间隔开；第一图案结构，在上绝缘结构和第二绝缘结构之间；堆叠结构，在第二绝缘结构和第一图案结构之间，并包括栅极层；以及垂直结构，穿过堆叠结构并包括数据存储结构和沟道层。

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