公开(公告)号：CN107462983B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201710151679.8

申请日：2017-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑熙静 ,  白瓒郁 ,  李章元

IPC: G02B19/00 ,  G02B21/00

Abstract: 本发明提供了电磁波聚焦装置、光学设备和显微镜。电磁波聚焦装置可以包括位于离参考点不同距离处的多个材料构件。材料构件的间隔和/或宽度可以随着距参考点的距离而变化。例如，材料构件的间隔和/或宽度可以随着距参考点的距离而增加或减小。可以控制材料构件的间隔和/或宽度以满足与电磁波的空间相干条件。

公开(公告)号：CN113224199A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202010804191.2

申请日：2020-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆相 ,  白瓒郁 ,  金镐正

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了一种具有低暗噪声和高信噪比的光电子器件。该光电子器件可以包括：第一半导体层，被掺杂为具有第一导电类型；第二半导体层，设置在第一半导体层的上表面上并且被掺杂为具有与第一导电类型在电学上相反的第二导电类型；透明基质层，设置在第二半导体层的上表面上；多个量子点，布置成与透明基质层接触；以及第一电极和第二电极，第一电极设置在透明基质层的第一侧，第二电极设置在透明基质层的与第一侧相对的第二侧，其中，第一电极和第二电极电连接到第二半导体层。

公开(公告)号：CN110873911A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910573222.5

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白瓒郁 ,  赵庆相

IPC: G02B5/20 ,  G01J3/02 ,  G01J3/28

Abstract: 公开了一种光学滤波器，包括：第一反射器和第二反射器，第一反射器包括基于第一规则以第一周期二维布置并间隔开的多个第一亚波长结构，第二反射器被设置为与第一反射器分开，第二反射器包括基于第二规则以第二周期二维布置并间隔开的多个第二亚波长结构。

公开(公告)号：CN107017312A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610821200.2

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆相 ,  白瓒郁 ,  郑熙静

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02322 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/1126 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/954 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/1136

Abstract: 本发明提供了光电器件和包括该光电器件的电子装置。光电器件可以包括光敏层，该光敏层可以包括配置为响应于光而产生电荷的纳米结构层和邻近于该纳米结构层的半导体层。纳米结构层可以包括一个或多个量子点。半导体层可以包括氧化物半导体。光电器件可以包括接触光敏层的不同区域的第一电极和第二电极。大量光电转换元件可以在水平方向上布置或者可以在竖直方向上层叠。光电转换元件可以吸收并由此探测在不同波长带中的光而不使用滤色器。

公开(公告)号：CN101051584A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200610153699.0

申请日：2006-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相铉 ,  白瓒郁 ,  李晶姬 ,  陈勇完

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J63/06

Abstract: 本发明提供了一种场发射型背光单元及其制备方法。该场发射型背光单元包括：下基板；形成在下基板上的多个阴极电极；线形地形成在下基板和阴极电极上的多个绝缘层；形成在绝缘层上的多个门电极；以及由电子发射材料形成的至少一个发射器，形成在绝缘层之间的每个阴极电极上。

公开(公告)号：CN116014021A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211118644.1

申请日：2022-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白瓒郁

IPC: H01L31/108

Abstract: 一种光电二极管，包括：半导体层；第一导电层，在半导体层上，并包括透明导电氧化物；以及第二导电层，布置在半导体层和第一导电层之间，具有与第一导电层的功函数不同的功函数，并与半导体层形成肖特基结结构。第二导电层的功函数被设置为低于肖特基势垒高度，使得可以感测到宽波段中的光。

公开(公告)号：CN106816809B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201610852546.9

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白瓒郁 ,  金孝哲 ,  朴研相

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S5/347

Abstract: 一种半导体激光谐振器以及包括其的半导体激光装置，该半导体激光谐振器配置为产生激光束，其包括增益介质层，增益介质层包括半导体材料且包括由至少一个沟槽形成的至少一个突起以在增益介质层的上部中突出。在半导体激光谐振器中，至少一个突起配置为将激光束限制为在至少一个突起中的驻波。

公开(公告)号：CN112782796A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011226482.4

申请日：2020-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白瓒郁

IPC: G02B5/28 ,  G01J3/02

Abstract: 公开了一种滤光器、包括该滤光器的光谱仪以及包括该滤光器的电子装置。该滤光器包括第一反射器和第二反射器，第一反射器包括周期性地二维布置的多个第一结构，每个第一结构具有环形形状，第二反射器与第一反射器间隔开，并且包括周期性地二维布置的多个第二结构。

公开(公告)号：CN110031989A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811177146.8

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  加州理工学院

Inventor： 李斗铉 ,  R.索科延 ,  呂宥蓉 ,  G.K.什玛内什 ,  H.阿特瓦特 ,  R.帕拉 ,  白瓒郁

IPC: G02F1/017

Abstract: 提供了一种量子点(QD)光调制器以及包括该QD光调制器的装置。QD光调制器可以包括：含QD层，包括具有发光特性的QD；折射率变化层，与含QD层相邻地布置；以及反射器，布置为面对含QD层。折射率变化层可以包括其中载流子密度变化的载流子密度变化区，并且载流子密度变化区可以与含QD层相邻地布置。含QD层的发光特性可以根据折射率变化层的性质的变化来调制。QD光调制器还可以包括布置在含QD层上的纳米天线结构。

公开(公告)号：CN109387282A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810198257.0

申请日：2018-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆相 ,  白瓒郁

IPC: G01J3/28 ,  G01N21/25

Abstract: 滤光器包括多个光谱调制部，每个光谱调制部具有不同厚度或在其材料之间的不同混合比。多个光谱调制部中的每个光谱调制部具有不同的透射光谱。