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公开(公告)号：CN108933165A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810513295.0
申请日：2018-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 刘贤琯 , 金孝珍 , 河龙
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：鳍型图案，其形成在衬底上并包括由沟槽限定的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，其与第一侧壁和第二侧壁接触放置并填充沟槽；以及外延图案，其形成在鳍型图案上并包括第一外延层和形成在第一外延层上的第二外延层。
