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公开(公告)号：CN110224050B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201910155558.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层上的透明电极层，该透明电极层与第二导电类型的半导体层的边缘间隔开；发光结构上的覆盖透明电极层的第一绝缘层，第一绝缘层包括连接至透明电极层的多个孔；以及反射电极层，其在第一绝缘层上并且通过所述多个孔连接至透明电极层。
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公开(公告)号：CN110085716B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201910035212.6
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的第一透明电极层；所述第一透明电极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个通孔；所述第一绝缘层上的反射电极层，所述反射电极层通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面的透明保护层，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。
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公开(公告)号：CN110224050A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910155558.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；第二导电类型的半导体层上的透明电极层，该透明电极层与第二导电类型的半导体层的边缘间隔开；发光结构上的覆盖透明电极层的第一绝缘层，第一绝缘层包括连接至透明电极层的多个孔；以及反射电极层，其在第一绝缘层上并且通过所述多个孔连接至透明电极层。
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公开(公告)号：CN109904302A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201810803089.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光器件包括具有第一表面和第二表面的发光芯片。第一光反射图案形成在第二表面上。多个端子设置成通过穿过第一光反射图案而连接到发光芯片。第二光反射图案形成在发光芯片的侧表面和第一光反射图案的侧表面上。透光图案形成在发光芯片和第二光反射图案之间并且在第一光反射图案和第二光反射图案之间延伸。波长转换层形成在发光芯片的第一表面上。
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