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公开(公告)号：CN109509490B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910018564.0
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器系统及其控制方法。一种非易失性存储器系统包括：非易失性存储器件，包括多个存储单元，多个存储单元构成多个存储块并且每个存储块包括多个页；以及存储器控制器，被配置为施加位于第一读电平的读电压以从多个存储单元当中的所选择的存储单元读数据，在施加导致读失败时传输命令到非易失性存储器件以请求特定电压范围的多个采样值，其中多个采样值中的每一个与具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量相对应，响应于命令从所述非易失性存储器件接收采样值，施加非线性滤波到所接收的采样值以生成经滤波的值，以及基于经滤波的值将读电压设置为第二读电平，其中，经滤波的值中的每一个指示具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量，并且非易失性存储器件还包括用于生成采样值的位计数器。
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公开(公告)号：CN114582396A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111212460.7
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储设备、包括该存储设备的服务器设备以及操作该存储设备的方法。该存储设备包括：温度传感器；非易失性存储器，被配置为存储与在第一温度范围内执行的存储器操作相关的第一控制信息、和与在不同于第一温度范围的第二温度范围内执行的存储器操作相关的第二控制信息，第一控制信息和第二控制信息彼此分开存储；以及存储控制器，被配置为接收从温度传感器感测的温度，通过处理所感测的温度来确定目标温度，基于所确定的目标温度来选择第一控制信息和第二控制信息之一，并且使用所选择的控制信息对非易失性存储器执行存储器操作。
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公开(公告)号：CN114282342A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111322071.X
申请日：2021-11-09
Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 , 三星电子株式会社
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 提供了一种存储装置的故障预测方法和装置，所述方法包括：将实时采集的所述存储装置的SMART数据输入到多个基分类模型中的每个基分类模型，以获取每个基分类模型输出的针对实时采集的所述存储装置的SMART数据的分类结果，其中，每个基分类模型利用多个存储装置的历史SMART数据和/或在线采集的所述多个存储装置的SMART数据训练而获得；基于多个基分类模型的分类结果确定实时采集的所述存储装置的SMART数据是健康数据还是故障数据；基于预定时间窗口内采集到的所述存储装置的SMART数据被确定为健康数据的SMART数据的数量和被确定为故障数据的SMART数据的数量来预测所述存储装置是否将出现故障。
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公开(公告)号：CN108932964A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810472963.X
申请日：2018-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3404 , G06F13/1673 , G06F13/4068 , G11C16/26 , G11C16/3436
Abstract: 一种操作存储设备的方法，包括：通过使用默认读取电压电平来对非易失性存储器执行后台读取操作；当后台读取操作失败时通过使用校正后的读取电压电平对非易失性存储器执行读取重试操作；当读取重试操作成功时将校正后的读取电压电平存储在历史缓冲器中；以及响应于从主机所接收到的读取请求通过使用历史缓冲器来对非易失性存储器执行主机读取操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107025945A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710022359.2
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/26 , G06F3/061 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C7/02 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C2029/0409 , H05K999/99 , G11C16/3404
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
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公开(公告)号：CN108694989B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201810249317.7
申请日：2018-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备包括非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备在选定的存储单元的编程操作期间检测多个目标状态中的至少一个目标状态的状态通过循环的循环计数，并且基于检测到的状态通过循环的循环计数来生成指示编程操作是否成功的状态循环计数信息(SLCI)；以及存储控制器，其响应于检测到操作条件或外部命令，向非易失性存储器设备请求状态循环计数信息，并且基于来自非易失性存储器设备的状态循环计数信息，将包括选定的存储单元的存储块指派为坏块。
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公开(公告)号：CN108932964B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201810472963.X
申请日：2018-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作存储设备的方法，包括：通过使用默认读取电压电平来对非易失性存储器执行后台读取操作；当后台读取操作失败时通过使用校正后的读取电压电平对非易失性存储器执行读取重试操作；当读取重试操作成功时将校正后的读取电压电平存储在历史缓冲器中；以及响应于从主机所接收到的读取请求通过使用历史缓冲器来对非易失性存储器执行主机读取操作。
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公开(公告)号：CN112667524A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011088888.0
申请日：2020-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/1009
Abstract: 一种存储装置的存储器管理方法，包括：在存储块中对请求写入的数据进行编程；对从存储块的最后一页编程有请求写入的数据的时间开始的经过时间进行计数；当经过时间超过阈值时，触发存储装置的垃圾收集；以及在存储块的第一干净页对通过垃圾收集所收集的有效数据进行编程。
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