公开(公告)号：CN109872751A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201811375197.1

申请日：2018-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林菜昱 ,  罗太熙 ,  鲜于桢 ,  李墉焌

IPC: G11C13/00

Abstract: 本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。

公开(公告)号：CN109754835B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201811239202.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林菜昱 ,  罗太熙 ,  鲜于桢 ,  李墉焌

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。

公开(公告)号：CN110942794A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910462744.8

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李埈圭 ,  李墉焌 ,  B.A.詹朱厄 ,  林菜昱 ,  平野诚

IPC: G11C13/00 ,  G11C8/08

Abstract: 一种集成电路存储器设备，包括电阻存储器单元的阵列；以及编程电路，通过多个字线和多个位线电耦合到阵列中的电阻存储器单元的相应行和列。编程电路包括控制电路和字线驱动器，控制电路和字线驱动器被共同配置为在用写入数据编程阵列的操作期间生成字线编程电压，字线编程电压具有作为阵列中的电阻存储器单元的行和/或列地址的函数而变化的量值。根据该函数，同具有与之相关联的第一寄生电阻的第一电阻存储器单元相关联的字线编程电压的量值小于同具有与之相关联的第二寄生电阻的第二电阻存储器单元相关联的字线编程电压的量值，第二寄生电阻大于第一寄生电阻。

公开(公告)号：CN108281167A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711247786.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林菜昱 ,  朴贤国 ,  鲜于桢 ,  吴荣训 ,  李墉焌

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C29/52 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  G11C13/0021

Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。