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公开(公告)号:CN111970466B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202010354245.X
申请日:2020-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李赫钟
IPC: H04N25/70
Abstract: 一种图像传感器包括:多个相移码发生器,其中多个相移码发生器中的每一个输出相移码;测试数据选择电路,用于输出对应于测试图案的测试数据;计数器,用于从多个相移码发生器中的至少一个接收相移码、从测试数据选择电路接收测试数据、使用相移码锁存对应于测试图案的数字码、并输出数字码;以及控制逻辑,用于使用数字码计算数据图案,并根据数据图案和测试图案之间的比较结果选择多个相移码发生器中的一个。
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公开(公告)号:CN118538721A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410113399.8
申请日:2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种集成电路和包括集成电路的图像传感器,该集成电路通过消除半导体器件的虚设区域而具有有利于缩放的结构。所述集成电路可以包括至少一个单元、平面晶体管和垂直晶体管。所述至少一个单元可以包括彼此相邻的第一有源区域和第二有源区域,在所述第一有源区域上并在第一方向上延伸的至少一个第一有源鳍,在所述第二有源区域上并在所述第一方向上延伸的至少一个第二有源鳍,以及与所述第一有源区域和所述第二有源区域垂直交叠并在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的有源栅极线。
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公开(公告)号:CN110868556B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN201910489153.X
申请日:2019-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李赫钟
Abstract: 提供了操作图像传感器的方法、执行该方法的图像传感器及包括该图像传感器的电子系统。在操作图像传感器的方法中,该图像传感器包括像素阵列和连接到像素阵列的多个列的多个列驱动电路。通过在改变施加到所述多个列驱动电路中包括的晶体管的阱偏置电压的大小的同时,将测试图应用到多个列驱动电路,来执行测试操作。基于测试操作的结果,执行用于设置所述阱偏置电压的大小的偏压设置操作。基于像素阵列、多个列驱动电路以及通过偏压设置操作设置的阱偏置电压来执行用于检测入射光并生成帧图像的图像捕获操作。
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公开(公告)号:CN109561265B
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN201811118548.0
申请日:2018-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李赫钟
Abstract: 本申请提供了一种数字相关双采样(CDS)电路和一种图像传感器。该数字相关双采样电路包括第一锁存电路、第一转换电路、第二转换电路、第二锁存电路和计算电路。第一锁存电路基于第一控制信号锁存输入相移码,以存储第一相移码和第二相移码。第一转换电路将第一相移码和第二相移码转换为第一格雷码和第二格雷码。第二转换电路将第一格雷码和第二格雷码转换为第一二进制码和第二二进制码。第二锁存电路基于第二控制信号锁存第二转换电路的输出,以存储第一二进制码。计算电路对第一二进制码和第二二进制码操作,以产生第三二进制码,并且输出第三二进制码。
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公开(公告)号:CN111970466A
公开(公告)日:2020-11-20
申请号:CN202010354245.X
申请日:2020-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李赫钟
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器包括:多个相移码发生器,其中多个相移码发生器中的每一个输出相移码;测试数据选择电路,用于输出对应于测试图案的测试数据;计数器,用于从多个相移码发生器中的至少一个接收相移码、从测试数据选择电路接收测试数据、使用相移码锁存对应于测试图案的数字码、并输出数字码;以及控制逻辑,用于使用数字码计算数据图案,并根据数据图案和测试图案之间的比较结果选择多个相移码发生器中的一个。
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公开(公告)号:CN109561265A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201811118548.0
申请日:2018-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李赫钟
Abstract: 本申请提供了一种数字相关双采样(CDS)电路和一种图像传感器。该数字相关双采样电路包括第一锁存电路、第一转换电路、第二转换电路、第二锁存电路和计算电路。第一锁存电路基于第一控制信号锁存输入相移码,以存储第一相移码和第二相移码。第一转换电路将第一相移码和第二相移码转换为第一格雷码和第二格雷码。第二转换电路将第一格雷码和第二格雷码转换为第一二进制码和第二二进制码。第二锁存电路基于第二控制信号锁存第二转换电路的输出,以存储第一二进制码。计算电路对第一二进制码和第二二进制码操作,以产生第三二进制码,并且输出第三二进制码。
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公开(公告)号:CN118553753A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410196150.8
申请日:2024-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/088 , H04N25/79 , H04N25/76
Abstract: 一种图像传感器包括:第一芯片,包括包含多个像素的像素阵列;以及第二芯片,包括配置为驱动像素阵列并处理从像素阵列输出的像素信号的外围电路,其中第一芯片和第二芯片堆叠,外围电路用多个场效应晶体管(FET)来实现,所述多个FET中的每个的至少一个沟道结构全部在同一方向上延伸。
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公开(公告)号:CN114245050A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111053373.1
申请日:2021-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器包括:像素,其被配置为在读出周期期间在高转换增益模式和低转换增益模式下操作;以及相关双采样电路,其被配置为基于斜坡信号和从像素接收的像素电压来生成比较信号。相关双采样电路包括比较器,其被配置为:通过第一输入节点接收像素电压,基于接收到作为像素电压的低转换增益复位信号或低转换增益图像信号通过第二输入节点接收斜坡信号,并且基于接收到作为像素电压的高转换增益复位信号或高转换增益图像信号通过第三输入节点接收斜坡信号;以及将斜坡信号与像素电压进行比较,并输出与比较结果对应的比较信号。
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公开(公告)号:CN112887640A
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN202110042195.6
申请日:2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种图像传感器和包括该图像传感器的图像处理装置。图像传感器包括:像素阵列,其包括以行和列布置的多个像素并且构造为从所述多个像素产生像素信号;时间计算器,其构造为接收与数字变焦相对应的变焦信息,并且构造为基于变焦信息来计算适用于处理来自包括在单个行中的多个像素的像素信号的行处理时间;时序发生器,其构造为基于行处理时间来产生至少一个控制信号;以及模数转换器,其构造为根据所述至少一个控制信号通过对像素信号执行采样来产生像素数据。
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公开(公告)号:CN108881751B
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN201810431062.6
申请日:2018-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种图像传感器,包括:像素阵列,其包括多个像素;模数转换器,其具有用于将模拟信号转换为数字信号的第一计数器;以及输出缓冲器,其具有第一存储器。在测试模式下,作为针对第一计数器的测试结果产生的第一计数器测试结果值存储在第一存储器中。输出缓冲器响应于第一选择信号将第一计数器测试结果值从第一存储器输出至输出缓冲器外部。输出缓冲器还包括复位逻辑电路,其根据第一计数器测试结果值是否被输出来将第一存储器复位。所述多个像素响应于入射光产生模拟信号。
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