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公开(公告)号：CN110010613A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811493187.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556
Abstract: 一种三维半导体存储器件，包括：电极结构，其包括垂直堆叠在半导体层上的电极；垂直半导体图案，其穿透电极结构并连接到半导体层；以及垂直绝缘图案，其在电极结构与垂直半导体图案之间。垂直绝缘图案包括在电极结构的侧壁上的侧壁部分以及沿着半导体层的顶表面的一部分从侧壁部分延伸的突起。垂直半导体图案包括：垂直沟道部分，其具有第一厚度并沿着垂直绝缘图案的侧壁部分延伸；以及接触部分，其从垂直沟道部分延伸并沿着垂直绝缘图案的突起和半导体层的顶表面共形地延伸。接触部分具有大于第一厚度的第二厚度。
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