无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN109856924A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201811351362.X

    申请日:2018-11-14

    Abstract: 本申请提供一种无掩模曝光方法、一种无掩模曝光设备和一种制造半导体装置的方法。无掩模曝光方法包括:将从光源输出的光空间调制成具有掩模图案的图案光束;将调制的图案光束会聚成第一组点光束和第二组点光束,第一组点光束在实质上与目标层的曝光表面垂直的Z轴上具有第一焦点位置,第二组点光束具有与第一焦点位置不同的第二焦点位置;并且利用第一组点光束和第二组点光束扫描目标层。目标层具有第一高度和与第一高度不同的第二高度。

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