公开(公告)号：CN116960107A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310457061.X

申请日：2023-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰铭 ,  李长根 ,  徐康一 ,  洪元赫

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件包括第一绝缘层和在第一绝缘层中的金属通路。集成电路器件包括在第一绝缘层上的第二绝缘层。集成电路器件包括在第二绝缘层的侧壁之间且在金属通路上的导电材料。此外，集成电路器件包括在导电材料和/或第二绝缘层上的金属线。还提供了形成集成电路器件的相关方法。

公开(公告)号：CN110970391A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910903410.X

申请日：2019-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相俊 ,  李海王 ,  崔宰铭

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一互连线，具有第一端并在第一方向上延伸；第一阻挡图案，在第一互连线的第一端处并且在第一方向上与第一互连线相邻；第二互连线，在与第一方向交叉的第二方向上与第一互连线间隔开并在第一方向上延伸，第二互连线具有第二端；第二阻挡图案，在第二互连线的第二端处并且在第一方向上与第二互连线相邻，其中第一阻挡图案在第一方向上的宽度不同于第二阻挡图案在第一方向上的宽度。