-
公开(公告)号：CN113496997A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110356067.9
申请日：2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L29/423 , H01L23/50 , H01L23/522
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的下结构，下结构包括第一布线结构、第二布线结构以及覆盖第一布线结构和第二布线结构的下绝缘结构；第一图案层，包括板部分和通路部分，板部分在下绝缘结构上，通路部分从板部分的下部延伸到下绝缘结构中并与第一布线结构重叠；石墨烯装碳材料层，在通路部分与第一布线结构之间与通路部分和第一布线结构接触；栅极层，在第一图案层上在垂直于衬底的上表面的垂直方向上堆叠并彼此间隔开；以及存储垂直结构，在垂直方向上贯穿栅极层。
Search Results
11
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
