公开(公告)号：CN111052409B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201880053327.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载石 ,  姜镇熙 ,  姜智薰

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/10 ,  H01L33/62

Abstract: 提供制造发光二极管的方法。该方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成包括多个凹槽的掩膜层；分别在所述多个凹槽中形成多个纳米结构；通过刻蚀半导体层的外侧区域和所述半导体层层的与所述外侧区域不同的内侧区域，形成已刻蚀的区域；在半导体层的已刻蚀的区域上形成第一电极；在第一电极上形成绝缘层；以及在绝缘层和多个纳米结构上形成第二电极。

公开(公告)号：CN113169257A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202080006684.X

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金明姬 ,  徐廷鑂 ,  沈载弼 ,  姜智薰 ,  织田实男

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L27/15

Abstract: 公开了一种包括LED器件的显示面板和一种用于制造显示模块的方法。根据实施例，用于制造显示模块的方法包括：形成多个发光二极管(LED)；以及形成按照多个LED中的每一个划分发光区域的多个分隔墙，其中，形成多个LED包括：蚀刻生长基板以形成多个LED，并在该生长基板上形成多个突起和多个凹陷；以及在多个突起的表面和多个凹陷的表面上形成反射层，并且其中，形成多个分隔墙包括去除生长基板的一部分，使得基于多个突起形成多个分隔墙，并且基于多个凹陷形成多个分隔墙之间的空间。

公开(公告)号：CN111194484A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201880065361.0

申请日：2018-10-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜镇模 ,  姜智薰 ,  赵晟佑 ,  康志宁

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62

Abstract: 提供了一种制造发光二极管(LED)的方法。所述方法包括：在衬底上形成n型半导体层；在n型半导体层的第一区域中形成n型电极；在n型半导体层的第二区域中形成有源层，第二区域是除第一区域以外的区域；在有源层上形成p型半导体层；以及通过蚀刻有源层和p型半导体层的区域来形成电阻层。

公开(公告)号：CN111052409A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880053327.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载石 ,  姜镇熙 ,  姜智薰

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/10 ,  H01L33/62

Abstract: 提供制造发光二极管的方法。该方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成包括多个凹槽的掩膜层；分别在所述多个凹槽中形成多个纳米结构；通过刻蚀半导体层的外侧区域和所述半导体层层的与所述外侧区域不同的内侧区域，形成已刻蚀的区域；在半导体层的已刻蚀的区域上形成第一电极；在第一电极上形成绝缘层；以及在绝缘层和多个纳米结构上形成第二电极。

公开(公告)号：CN109755146A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811307432.1

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 程明灏 ,  姜智薰 ,  S·朴 ,  朴盛源 ,  李载珉

IPC: H01L21/66

Abstract: 本申请提供了用于被测装置的检查系统、检查被测装置的方法、以及制造半导体装置的方法。用于被测装置的检查系统包括图像传感器、N个图像获取装置、K个开关、M个图像处理装置和至少一个附加图像处理装置。各图像获取装置连接至图像传感器，并且N个图像获取装置中的每个接收由图像传感器捕获的被测装置的图像的图像数据。K个开关中的每个连接至各图像获取装置中的相应一个。M个图像处理装置中的每个连接至一个相应的开关，接收从N个图像获取装置中的一个输出并且由K个开关中的一个分配的图像数据，以及实时产生处理图像数据。附加图像处理装置连接至各开关中的一个，接收图像数据，以及实时产生附加处理图像数据。