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公开(公告)号：CN111324002A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910795188.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了如下所述的一种制造半导体器件的方法。生成掩模布局，该掩模布局用于形成包括矩形凹口的多高度单元的目标图案。从掩模布局中检测与矩形凹口相对应的初步矩形掩模图案。多高度单元由在一个方向上布置并彼此连接的标准单元形成，并且矩形凹口设置在两个相邻的标准单元之间。响应于检测到初步矩形掩模图案，将六边形掩模图案放置在初步矩形掩模图案的至少一个短边上，以生成组合掩模图案。组合掩模图案的外边界保留在掩模布局中并且对应于目标图案的矩形凹口。基于组合掩模图案，形成目标掩模和半导体器件。
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