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公开(公告)号：CN107916411B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201711165336.3
申请日：2017-11-21
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种固态荧光碳量子点的制备方法。具体步骤包括将石英片或者单晶硅片置于丙酮无水乙醇中超声清洗后用去离子水超声冲洗，氮气吹干；在200‑300℃条件下对反应室预抽真空，至压强低于10‑4Pa；以甲烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在反应室内于石英片或者单晶硅片上制备嵌有碳量子点的薄膜。该方法制备的碳量子点具有工艺简单、效率高、周期短、绿色环保等特点，所生长的碳量子点具有纯度高、粒度小、荧光发光效率高等特性。本发明所制备的荧光碳量子点在医学影像、光致发光材料以及各种半导体发光器件等方面有很好的潜在应用。
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公开(公告)号：CN106504904B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611003392.2
申请日：2016-11-15
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种基于四氧化三钴的水系非对称超级电容器的制备方法，包括正极、负极和电解质溶液，所述正极材料为四氧化三钴纳米线阵列，所述负极为四氧化三钴/聚吡咯复合纳米线阵列，所述电解质溶液为水溶性电解质溶液；其制备方法包括如下步骤：（1）制备四氧化三钴正极；（2）制备四氧化三钴/聚吡咯复合材料负极；（3）以所述水溶性电解质溶液为基础组装成所述水系非对称超级电容器。本发明得到的四氧化三钴/聚吡咯能在负电位窗口工作，且质量比电容可以达到335.34F/g，是传统的活性炭负极材料的2~4倍，得到的水系非对称超级电容器的工作电压可达到1.4V，能量密度高，制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN107573932A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710977580.3
申请日：2017-10-19
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明提供了一种碳量子点荧光材料的制备方法。该方法利用等离子增强化学气相沉积技术，通过控制沉积参数，在玻璃基板上交替沉积氢化的碳化硅薄膜(SiCX:H)和氢化的氮化碳薄膜(CNX:H)，然后经过250-350℃在真空炉中退火，嵌有碳量子点的荧光材料便制备完成。该种制备方法相比于涂覆或基体附着的制备方法不仅省去了高效荧光碳量子点的制备环节，而且荧光碳量子点和多层膜结构浑然一体，薄膜中的氢还可以有效的钝化薄膜中的缺陷，显著提高材料的荧光效率。经过此方法制备的碳量子点荧光材料具有荧光性能稳定，发光效率高，且制备方法简单、绿色环保，故可以很好的应用在各种半导体发光器件中。
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公开(公告)号：CN106683905A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611122791.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种直接生长在泡沫镍基底上的二硫化三镍薄膜电极及其制备方法，以泡沫镍为基底和镍源，以硫脲作为硫化剂，以乙二醇作为溶剂，通过简单的溶剂热法获得直接生长在泡沫镍表面的二硫化三镍薄膜电极。该制备方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模工业化生产。本发明还公开了所述二硫化三镍电极的应用，所述二硫化三镍薄膜电极呈现多孔纳米结构，有利于材料与电解质充分接触；二硫化三镍以泡沫镍作为镍源生长，与基底结合非常牢固，有利于电荷的快速传递，因此得到的二硫化三镍具有很好的倍率性能和优异的循环稳定性，是理想的超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN106601500A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710039337.7
申请日：2017-01-19
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种对Ni‑Fe LDH材料进行硫化来提升其容量的方法，以尿素为沉淀剂，氯化亚铁为铁源，首先在镍网基底上生长Ni‑Fe LDH。在此基础上，以硫脲或硫化钠或硫代乙酰胺为硫化剂，采用溶剂热法对Ni‑Fe LDH进行硫化，得到的Ni‑Fe LDH‑S均匀生长在镍网表面，呈蜂窝状结构。在1M KOH电解液中对Ni‑Fe LDH‑S进行电化学性能评价，其稳定电位窗口范围在‑1.1~0 V，在该电位窗口内进行恒流充放电时，Ni‑Fe LDH‑S比电容可达340 F/g，而未经过第二步硫化的样品（Ni‑Fe LDH）比电容只有45F/g，说明硫化后，Ni‑Fe LDH的比容量有明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104715933B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510068570.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳纳米棒阵列电极及其制备方法，以氧化锌纳米线阵列为模板，以烃类气体为碳源，采用原位化学气相沉积法制得碳纳米棒阵列。本发明制备的碳纳米棒阵列表面呈多孔结构，阵列长度为2.5‑4μm，直径为50‑200nm。该碳纳米棒阵列为一维阵列结构，有利于电荷的传输，且表面呈多孔结构，具有较大的比表面积，可作为超级电容器电极。
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公开(公告)号：CN106504904A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611003392.2
申请日：2016-11-15
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种基于四氧化三钴的水系非对称超级电容器的制备方法，包括正极、负极和电解质溶液，所述正极材料为四氧化三钴纳米线阵列，所述负极为四氧化三钴/聚吡咯复合纳米线阵列，所述电解质溶液为水溶性电解质溶液；其制备方法包括如下步骤：（1）制备四氧化三钴正极（；2）制备四氧化三钴/聚吡咯复合材料负极；（3）以所述水溶性电解质溶液为基础组装成所述水系非对称超级电容器。本发明得到的四氧化三钴/聚吡咯能在负电位窗口工作，且质量比电容可以达到335.34F/g，是传统的活性炭负极材料的2~4倍，得到的水系非对称超级电容器的工作电压可达到1.4V，能量密度高，制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN118538549A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410779656.1
申请日：2024-06-17
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种低晶态钒掺杂氢氧化镍超级电容器电极材料及其制备方法。首先通过水热方法和退火处理在泡沫镍上制备钒掺杂的氢氧化镍，记作V‑Ni(OH)2，接下来通过退火使其转变成非晶态，进一步采用循环伏安（CV）技术使V‑Ni(OH)2转变成低晶态，得到V‑Ni(OH)2‑A0。测试结果表明，结合V掺杂及CV处理，V‑Ni(OH)2‑A0不仅拥有高比电容（在10mA cm‑2下比容量为3.9 F cm‑2），而且具有优异的循环稳定性，在30 mA cm‑2的电流密度下进行10000次循环后比电容保持率为88%。此外，由V‑Ni(OH)2‑A0和碳布组装的水性不对称超级电容器的能量密度为0.497 mWh cm−2，功率密度为10.924 mW cm−2，在25mA cm−2电流密度下循环30000次后依旧能够保持96%的初始比电容，具有超高的循环性能和应用价值。
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公开(公告)号：CN117894596A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410049320.X
申请日：2024-01-12
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了Co、Cu、C共掺杂氧化钒复合电极材料的制备方法及其超级电容器应用。采用简单的水热法即可获得Co、Cu、C共掺杂氧化钒复合电极材料。Co、Cu、C共掺杂不仅可以调节产物的微观形貌，得到纳米带状产物，其中部分纳米带组装成花状结构，这种特殊的结构有利于样品表面暴露更多的活性位点，从而提高样品的容量；同时，这种特殊的结构使样品表面能快速与电解液充分接触，有利于提升其容量和倍率性能；此外，Co、Cu、C共掺杂有效地降低了产物的电荷转移电阻和离子传输阻抗，有利于进一步提升产物的容量和循环稳定性。所得复合电极在10mA/cm2电流密度下，容量高达9.37 F cm‑2。在60 mA/cm2的大电流密度下循环2000次后，容量保持率约为97.1%。
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公开(公告)号：CN117887337A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311721908.7
申请日：2023-12-14
Applicant: 三峡大学
IPC: C09D163/02 , C09D7/61 , C09D7/63 , C09K3/18
Abstract: 本发明公开了一种半透明超疏水防冰抑霜涂层的制备方法以及应用。涂层主要成分有：超疏水SiO2纳米颗粒、偶联剂D‑26、偶联剂KH‑560、环氧树脂及其固化剂，采用简单的共混法制备浆料，并用推广性很好的浸渍提拉法进行镀膜，制备出透光性高耐久度好的超疏水涂层，两种偶联剂的协同作用使本涂层在低温下仍能保持很好的防冰抑霜性能。解决现有涂层未能兼顾机械性能强、透光、防冰、抑霜的问题，与机械性能、防冰性能、抑霜性能较差的问题。
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