-
公开(公告)号：CN108987456A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710437128.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7823 , H01L29/1608 , H01L29/24 , H01L29/66681
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。
Search Results
11
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
