公开(公告)号：CN111149208A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880062802.1

申请日：2018-09-24

Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司

Inventor： 彼得里·海基宁 ,  米科·马蒂卡拉

IPC: H01L27/146

Abstract: 根据实施例，一种设备包括：闪烁体层，其被配置为将x射线或伽马射线光子转换成可见光的光子；光电二极管层，其被配置为将闪烁体层产生的可见光转换成电流；集成电路IC层，其位于光电二极管层下方，并被配置为接收和处理电流；其中使用引线接合将IC层的电触点连接到光电二极管层的电触点；并且其中引线接合被保护材料覆盖，同时IC层的底部至少部分地暴露。其他实施例涉及包括根据该设备的瓦片的阵列的探测器，以及包括x射线源和探测器的成像系统。

公开(公告)号：CN108601531A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008413.6

申请日：2017-01-27

Applicant: 生命探测技术股份有限公司

Inventor： 约翰·B·兰利 ,  盖伊·麦克罗伊

IPC: A61B5/00 ,  A61B5/0205 ,  A61B5/04 ,  A61B5/0402 ,  A61B5/16 ,  G01N27/22

CPC classification number: A61B5/05 ,  A61B5/024 ,  A61B5/0816 ,  A61B5/7225 ,  A61B5/725 ,  A61B5/7278 ,  A61B5/742 ,  G01R29/0814

Abstract: 提供了用于检测和分析主体的变化的系统和方法。例如，一种系统包括被配置为产生电场的电场发生器。该系统包括被配置为检测电场中的物理变化的外部传感器设备，其中所述物理变化影响电场的幅度和频率。该系统包括被配置为检测电场发生器的输出的频率的变化的正交解调器。该系统包括被配置为检测电场发生器的输出的幅度的变化的幅度参考源和幅度比较开关。该系统包括被配置为分析电场发生器的输出的幅度和频率的变化的信号处理器。

公开(公告)号：CN116261678A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202180066742.2

申请日：2021-09-28

Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司

Inventor： 米科·马蒂卡拉

IPC: G01T1/36

Abstract: 目的是提供一种用于x‑射线和/或γ射线检测的设备和方法。根据实施例，设备包括：检测器，该检测器包括多个像素，其中该多个像素包括被配置为检测第一能量范围内的入射x‑射线或γ射线辐射的第一像素子集和被配置为检测第二能量范围内的入射x‑射线或γ射线辐射的第二像素子集；处理单元，该处理单元被配置为：从多个像素中的每个像素获得信号；基于每个像素的信号获得多个像素中的每个像素的辐射强度值；计算第二像素子集中的至少一个像素在第一能量范围内的辐射强度估算值。提供了一种设备和方法。

公开(公告)号：CN113661573A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080027070.X

申请日：2020-03-30

Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司

Inventor： 彼得里·海基宁 ,  迈克尔·约翰逊

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种辐射传感器元件(100)包括支撑板(160)，该支撑板具有前面(161)，该前面基本上沿着基平面(120)延伸，该基平面限定辐射传感器元件(100)的横向延伸；衬底(110)，该衬底具有基底面(111)、与基底面(111)相对的互连面(112)以及连接基底面(111)和互连面(112)的边缘面(113)；传感器区块(130)，该传感器区块具有面向互连面(112)的背面(136)；互连面(112)和背面(136)之间的铜柱互连元件(140)；以及在互连面(112)和背面(136)之间延伸的非导电膜(150)。前面(161)包括横向超出边缘面(113)的凹部(162)，该凹部在垂直于基平面(120)的厚度方向上延伸，并且非导电膜(150)包括在凹部(162)中延伸的边缘突出部分(151)。

公开(公告)号：CN110720036A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201880038249.8

申请日：2018-06-07

Applicant: 探测技术股份有限公司

Inventor： E·嘉伯雷奥博里森科 ,  D·佩瑞安

IPC: G01N23/087

Abstract: 本发明涉及通过电离辐射、特别是通过x辐射或伽马辐射来进行材料分析的领域。本发明提出了一种使用具有至少三个通道的光谱检测器(20)来确定测试样本(14)的物理性质的方法，该方法包括：·在每个通道中对测试样本执行测量，·计算变量，每个变量是由不同通道的测量结果的组合而形成的，·将加权且偏置矩阵应用于变量，以使得能够确定测试样本的所研究的物理性质。

公开(公告)号：CN110546532A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880008710.5

申请日：2018-01-25

Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司

Inventor： 米科·马蒂卡拉 ,  阿瑞西·斯坦格

IPC: G01T1/24 ,  G01T1/29

Abstract: 根据实施例的一种方法，包括：配置面板作为用于高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的入射窗；在面板上附接偏置板，其中，偏置板被配置成导电的并使得辐射通过偏置板；以及将贴片阵列附接到偏置板上使得直接转换化合物半导体传感器配置在偏置板上，其中，每个贴片包括直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路IC层；其中，直接转换化合物半导体传感器被配置成将高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的光子转换成电流；以及其中，读出IC层位于直接转换化合物半导体传感器旁边，并被配置成接收电流并处理电流。其他实施例涉及包括组件阵列的探测器，以及包括X射线源和探测器的成像系统。

公开(公告)号：CN110268524A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880008955.8

申请日：2018-01-25

Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司

Inventor： 维力·拉姆萨

IPC: H01L27/146

Abstract: 根据实施例，一种设备(100)包括被构造为将高能辐射光子转换成电流的直接转换化合物半导体层(101)，所述直接转换化合物半导体层包括：位于直接转换化合物半导体层中的像素阵列，包括位于最外周边处的像素，其中像素包括信号焊盘(106)；环绕像素阵列的防护环(105)，其中位于最外周边处的像素最接近防护环；防护环接触焊盘(107)，其中防护环接触焊盘被布置在取代所述最外周边处的像素信号焊盘中的一些像素信号焊盘的位置处，并连接到防护环；其中防护环接触焊盘被进一步布置为相对于所述直接转换化合物半导体层的对称x轴和对称y轴不对称。其他实施例涉及包括根据设备的切片阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。

公开(公告)号：CN213813966U

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202022217941.4

申请日：2020-09-30

Applicant: 芬兰探测技术股份有限公司

Inventor： 米科·马蒂卡拉

IPC: G01T1/20

Abstract: 本申请涉及双能量成像设备。目的是提供一种用于x射线和/或伽马射线检测的设备。根据实施例，设备包括：包括多个像素的检测器，其中多个像素包括被配置为检测第一能量范围内的入射的x射线辐射或伽马射线辐射的第一像素子集和被配置为检测第二能量范围内的入射的x射线辐射或伽马射线辐射的第二像素子集；处理单元，其被配置为：从多个像素中的每个像素获得信号；基于每个像素的信号获得多个像素中的每个像素的辐射强度值；计算第二像素子集中至少一个像素的在第一能量范围内的辐射强度估计。提供了一种设备。