公开(公告)号：CN1846907A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610076488.1

申请日：2002-02-15

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 大西隆 ,  小笠原忠司 ,  渡边宗敏 ,  加藤雅通

IPC: B22F3/10

CPC classification number: H01M8/0232 ,  B01D39/2034 ,  B01D39/2079 ,  B01D2201/188 ,  B22F1/0048 ,  B22F3/004 ,  B22F3/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/1103 ,  B22F3/1109 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  H01M8/0247 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12021 ,  B22F9/082 ,  B22F2207/11 ,  B22F3/02

Abstract: 提供过滤器和、固体高分子型水电解槽中的供电体、固体高分子型燃料电池中的集电体、进而提供液体的分散板，特别是适用于喷墨打印机用油墨分散板等的多孔质体。烧结用气体雾化法制造的由钛或者钛合金构成的球状粉末，形成板状的多孔质的钛粉末烧结体。通过无加压充填及无加压烧结可以得到35～55％的空隙率。

公开(公告)号：CN1547622A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02816621.3

申请日：2002-09-13

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 西冈和雄

IPC: C23C14/24 ,  C01B33/113

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/10 ,  C23C14/225

Abstract: 本发明的目的是提供一氧化硅蒸镀膜形成时的飞溅现象的产生显著减少的一氧化硅蒸镀材料及其制造方法，在将硅粉末与二氧化硅粉末的混合物在真空下的原料室内加热、反应，以产生一氧化硅气体，一氧化硅在设置在原料室上部的沉积室中的沉积基材上沉积的方法中，通过使用圆周壁相对于垂线倾斜1度～45度并且上端内径比下端内径小的圆筒体作为沉积基材，并且在沉积室的压力为7Pa～40Pa的真空气氛下制造，可以制造磨耗试验的重量减少率(磨耗值)为1.0％或更低，一氧化硅蒸镀膜形成时的飞溅现象的产生少的一氧化硅蒸镀材料。

公开(公告)号：CN101044268A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580034926.1

申请日：2005-10-05

Applicant: 东邦钛株式会社 ,  住友钛株式会社

Inventor： 山口雅宪 ,  小野有一 ,  小濑村晋 ,  西村荣二 ,  小笠原忠司 ,  山口诚 ,  堀雅彦 ,  上西彻

IPC: C25C3/28 ,  C25C3/02

CPC classification number: C22B34/129 ,  C25C3/02 ,  C25C3/28 ,  C25C7/025

Abstract: 本发明涉及通过熔融盐电解制造金属的方法，其是在具有阳极和阴极的电解槽中装盛氯化钙熔融盐进行的通过熔融盐电解制造金属的方法，其特征在于，阴极或阳极的一方的电极以包围另一方电极的方式设置，阴极具有至少一个连通阴极包围的内部区域和外部区域的流通口，熔融盐经由流通口由内部区域或外部区域中设置阳极的一侧区域向另一方区域流通。

公开(公告)号：CN101040064A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580034929.5

申请日：2005-10-05

Applicant: 东邦钛株式会社 ,  住友钛株式会社

Inventor： 山口雅宪 ,  小野有一 ,  小濑村晋 ,  西村荣二 ,  小笠原忠司 ,  山口诚 ,  堀雅彦 ,  上西彻

IPC: C25C3/28

CPC classification number: C25C3/02 ,  C22B34/129 ,  C25B1/26 ,  C25C3/28

Abstract: 本发明涉及通过熔融盐电解制造金属的方法，其是在具有阳极和阴极的电解槽中盛装含有金属氯化物的熔融盐进行的，其特征在于，使用使金属相对于熔融盐的溶解度降低的熔融盐。

公开(公告)号：CN1476420A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02803178.4

申请日：2002-07-25

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 夏目义丈 ,  大西隆 ,  小笠原忠司 ,  渡边宗敏 ,  岩濑敏治

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  C23C14/24 ,  C01B33/113

CPC classification number: C04B35/14 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/10 ,  C23C14/30 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的是提供具有作为一氧化硅气相淀积材料所要求的均匀的组织、良好的机械加工性和抗飞溅性的一氧化硅烧结体，或直径至少100mm并具有作为溅射靶材料所要求的形状的一氧化硅烧结体，并稳定、高产地得到这些烧结体。通过在至少15Mpa的压力、1200－1350℃温度的热压条件下进行烧结，可以得到堆积密度至少为1.68g/cm3的一氧化硅烧结体，进一步通过使用具有在整体式外模内设置间隙并组合分割成多段的内模的结构、并在该间隙中设置缓冲材料的压模，可以得到直径至少为100mm、并且堆积密度为至少2.13g/cm3(真密度的至少95％)的一氧化硅烧结体，可以提供最适合真空气相淀积、溅射等的气相成膜材料。

公开(公告)号：CN1451057A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN01815020.9

申请日：2001-08-30

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 有本伸弘 ,  西冈和雄 ,  木崎信吾 ,  小笠原忠司 ,  藤田诚

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/243 ,  C01B33/113 ,  C23C14/10 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及以下高纯度一氧化硅蒸镀材料、其制造方法、以及制造原料等。(1)高纯度一氧化硅蒸镀材料，在形成蒸镀膜时可以抑制飞溅现象，且平均体积密度为2.0g/cm3、维氏硬度为500以上。(2)高纯度一氧化硅蒸镀材料的制造方法，在原料室中比一氧化硅升华温度低的温度下进行脱气处理之后，实施升温而使一氧化硅升华，蒸镀到沉积室的沉积衬底上形成高纯度一氧化硅蒸镀材料，其金属不纯物的总量为50ppm以下。(3)所述的一氧化硅蒸镀材料的制造原料，其中金属硅粉与二氧化硅粉的平均粒度同时为1～40μm和/或摩尔混合比SiO/Si为0.90～0.99。

公开(公告)号：CN101098990A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200680001888.4

申请日：2006-01-06

Applicant: 大曹株式会社 ,  住友钛株式会社

Inventor： 音川隆一 ,  大原久实子 ,  大西隆

IPC: C25D17/10

CPC classification number: C25D17/10 ,  C25B11/041 ,  C25B11/0484 ,  H01M8/0232

Abstract: 本发明提供一种长寿命且经济的不溶性阳极，该不溶性阳极即使用在如产生阴极化现象的消耗剧烈的部分，也可以长时间稳定地维持阳极功能，而且能尽可能抑制电极活性物质的用量。为了实现该不溶性阳极，在由钛板形成的金属基体(10)的表面上，由球状钛粉末的烧结体形成的多孔质层(20)作为底层。从多孔质层(20)的表面到内部形成电极活性物质层(30)。电极活性物质的一部分渗透到多孔质层(20)中，得到喷砂处理所无法相比的牢固的固定效果。即使从多孔质层(20)露出的部分剥离·脱落，也可以通过残留在多孔质层(20)中的电极活性物质维持阳极功能。

公开(公告)号：CN1781200A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011532.X

申请日：2004-04-16

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 夏目义丈 ,  小笠原忠司 ,  东和臣

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M10/40

Abstract: 本发明的课题在于在不妨碍初始充电容量的值的情况下，大幅度地改善作为其缺点的初始效率低的情况，上述初始充电容量为将SiO用于负极(30)的锂蓄电池中特有的。而且能够改善循环特性。为了实现这些效果，在集电体(31)的表面上，作为负极活性物质层(32)，形成通过真空蒸镀或溅射形成的氧化硅的薄膜。最好，通过离子电镀法形成薄膜。氧化硅为SiOx(0.5≤x＜1.0＝，膜厚在0.1～50μm的范围内。真空蒸镀源采用磨损试验的重量减少率(磨损值)在1.0％或以下的SiO析出体。在真空蒸镀时，在真空中或惰性气氛中对集电体(31)的表面清洁处理后，在不暴露于大气气氛中形成氧化硅的薄膜。

公开(公告)号：CN1247482C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02803178.4

申请日：2002-07-25

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 夏目义丈 ,  大西隆 ,  小笠原忠司 ,  渡边宗敏 ,  岩濑敏治

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  C23C14/24 ,  C01B33/113

CPC classification number: C04B35/14 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/10 ,  C23C14/30 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的目的是提供具有作为一氧化硅气相淀积材料所要求的均匀的组织、良好的机械加工性和抗飞溅性的一氧化硅烧结体，或直径至少100mm并具有作为溅射靶材料所要求的形状的一氧化硅烧结体，并稳定、高产地得到这些烧结体。通过在至少15Mpa的压力、1200-1350℃温度的热压条件下进行烧结，可以得到堆积密度至少为1.68g/cm3的一氧化硅烧结体，进一步通过使用具有在整体式外模内设置间隙并组合分割成多段的内模的结构、并在该间隙中设置缓冲材料的压模，可以得到直径至少为100mm、并且堆积密度为至少2.13g/cm3(真密度的至少95%)的一氧化硅烧结体，可以提供最适合真空气相淀积、溅射等的气相成膜材料。

公开(公告)号：CN101142330A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200680008261.1

申请日：2006-03-08

Applicant: 住友钛株式会社

Inventor： 小笠原忠司 ,  山口诚 ,  岳下胜则 ,  堀雅彦

IPC: C22B34/12 ,  C22B9/02

CPC classification number: C25C3/02 ,  C22B9/02 ,  C22B34/1272 ,  C22B34/1295 ,  Y02P10/234

Abstract: TiCl4的气体从原料供应管11供应到保持在反应容器(6)内的熔融CaCl2液体中，在熔解于CaCl2液体中的Ca的作用下，TiCl4被还原后生成颗粒状的金属Ti。被从反应容器(6)抽出到下方的、混有Ti颗粒的熔融CaCl2液体，被送到分离工序(12)，在加热容器(15)内被加热，Ti颗粒也变为熔融状态，由于比重差，熔融CaCl2液体(16)分离到上层，金属Ti(17)分离到下层。下层的金属Ti(17)被从高熔点金属排出口(18)取出，凝固后形成铸锭。上层的熔融CaCl2液体(16)，与被从反应容器(6)抽出的熔融CaCl2液体一起被送往电解工序(13)，电分解生成的Ca与CaCl2一起被返回到反应容器(6)内。在该制造工艺的分离工序(12)中，可以采用本发明的分离回收方法，可以以较少的能量，高效率地从含有CaCl2的熔融盐分离回收到优质的Ti或Ti合金。