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公开(公告)号：CN102571071B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210001147.3
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构乘法器单元，包括第一、二、三、四信号源、四输入阈值逻辑门、五输入阈值逻辑门以及一反相器；其共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和2个SET。HSPICE的仿真结果表明该电路能够有效地实现乘法器单元的逻辑功能,整个电路的平均功耗仅为12nW。与基于布尔逻辑的CMOS乘法器单元相比,管子数目大大减少,功耗显著降低,电路结构得到了进一步的简化,有利于节省芯片的面积,提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN102568564B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210048006.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 福州大学
IPC: G11C11/417
Abstract: 本发明涉及一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元，其特征在于：包括一NMOS管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS电路；该NDR电路和该SET-MOS电路串联，所述的NMOS管的漏极连接至该NDR电路和该SET-MOS电路之间。该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现存储的功能。本发明采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。
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公开(公告)号：CN102457266B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201210001150.5
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的2:1复用器，该复用器电路仅由2个阈值逻辑门和1个反相器构成，共消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET，其输入输出电压间具有较好的兼容性，输出电压具有较大的摆幅。与基于布尔逻辑的CMOS2:1复用器相比，电路功耗明显下降，管子数目得到了一定的减少，电路结构得到了进一步的简化。该复用器能够在信号传输、数据传递、数据总线控制等领域中得到应用，有利于降低电路功耗，节省芯片面积，提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN103258408A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310210529.1
申请日：2013-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: G08B21/24 , G08B13/181
Abstract: 本发明涉及一种基于RFID的电子管家系统，包括两种模式：防忘模式和防盗模式；防忘模式，在平时出门需要携带的必需物品上贴电子标签，将与中央处理器连接的阅读器放于门口，若检测到所有必需物品的电子标签信号则说明物品携带齐全，若没有则中央处理器控制一语音模块发出未携带的必需物品对应的语音提示；防盗模式，在贵重物品上贴电子标签并放置于阅读器可检测到的范围内，当有人将物品移动至阅读器检测不到的范围时，中央处理器控制一GSM模块发送报警信息至物主或者保安人员的手机里，同时，中央处理器控制复数个摄像头进行现场拍摄以利于保留证据。本发明可以实现防忘防盗的功能，应用于家庭、办公室等场所，使用方法简单易懂。
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公开(公告)号：CN102571071A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210001147.3
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构乘法器单元，包括第一、二、三、四信号源、四输入阈值逻辑门、五输入阈值逻辑门以及一反相器；其共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和2个SET。HSPICE的仿真结果表明该电路能够有效地实现乘法器单元的逻辑功能,整个电路的平均功耗仅为12nW。与基于布尔逻辑的CMOS乘法器单元相比,管子数目大大减少,功耗显著降低,电路结构得到了进一步的简化,有利于节省芯片的面积,提高电路的集成度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102457266A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201210001150.5
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的2:1复用器，该复用器电路仅由2个阈值逻辑门和1个反相器构成，共消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET，其输入输出电压间具有较好的兼容性，输出电压具有较大的摆幅。与基于布尔逻辑的CMOS2:1复用器相比，电路功耗明显下降，管子数目得到了一定的减少，电路结构得到了进一步的简化。该复用器能够在信号传输、数据传递、数据总线控制等领域中得到应用，有利于降低电路功耗，节省芯片面积，提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN210136297U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201920919493.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型提出一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统，可用于无刷直流电机，所述霍尔角度传感器系统包括多根用于电机内部磁场检测的条形垂直霍尔器件；所述多根霍尔器件首尾相邻形成一个几何完全对称的多边形的磁场探测结构；所述霍尔器件的磁场探测部为半导体元件；所述半导体元件的磁场探测面处设有垂直霍尔结构；所述垂直霍尔结构为交替设于半导体衬底上的P型区和N型区；当电机工作时，电机磁场以非交叠分时时序扫描磁场探测结构的各个磁场探测面，使所述磁场探测结构输出电机磁场状态监测信号；本实用新型能降低芯片功耗，提升测量精度且测控范围更广泛。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208190611U
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201820467653.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种应用于霍尔电流传感器的读出电路，提供一前端旋转电流模块、信号读出主体电路以及纹波消除环路RRL电路；前端旋转电流模块包括采用旋转霍尔传感器的低频通路以及采用非旋转霍尔传感器且用于形成双通道架构来增大整体带宽的高频通路；纹波消除环路RRL电路接入低频通路；低频通路采用旋转电流控制，纹波消除环路RRL电路采用斩波控制，以消除电路失调电压和1/f噪声；低频通路以及所述高频通路接入所述信号读出主体电路。本实用新型提供一种应用于霍尔电流传感器的读出电路，采用双通道电路结构，并引入纹波消除环路RRL，可以有效地消除电路失调电压和1/f噪声的同时还能获得比较大的系统带宽。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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