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公开(公告)号：CN101050122B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200710099428.6
申请日：2007-05-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/622 , C04B35/495
Abstract: 本发明涉及一种功能陶瓷的制备方法，特别涉及一种铌酸锂陶瓷的制备方法。本发明采用激光辐照制备铌酸锂陶瓷，目的在于克服现有技术中的不足而提供一种方便、快捷地制备易于极化的铌酸锂陶瓷的方法。采用传统方法制备陶瓷素坯，使用激光辐照方法在960～980℃烧结10～30分钟制备得到铌酸锂陶瓷。与现有技术相比，本发明缩短了制备周期，减少了烧结过程中Li的挥发，降低了陶瓷的极化温度，操作简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN100557383C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810101945.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种确定激光打孔硬脆性非金属材料孔剖面形状的方法，特别适用于对硬脆性非金属材料的孔剖面形状进行测量，属于测量方法领域。本发明通过重叠并压紧某种材料的薄片至特定厚度并进行激光打孔，打孔后将重叠薄片的展开，分别测量各个薄板上下表面的孔径并记录各孔径的深度位置，最后采用曲线拟合的方法描绘出孔剖面形状。采用该发明方法避免对硬脆性材料的研磨抛光，简单快速的完成对激光打孔的孔剖面形状的确定，而且所得到的孔剖面形状与一整块相同厚度相同材料的样品进行相同打孔工艺打孔的孔剖面形状一致。
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公开(公告)号：CN101353431A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810222223.7
申请日：2008-09-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种高导电聚偏氟乙烯材料的准分子激光制备装置及方法，属于激光与物质相互作用领域。本装置包括沿光的传播方向依次设置的激光器、均束系统、第二会聚透镜和工作台；均束系统又包括第一级透镜阵列，第二级透镜阵列和第一会聚透镜。制备高导电聚偏氟乙烯材料时，先通过氦氖激光进行准直，调整光路，使其具有完整光斑形状；然后通过调节激光光斑大小和输出能量，控制材料表面能量流密度，使其为44mJ/cm2～112mJ/cm2；将样品置在工作台上，设置激光重复频率，开启激光进行材料辐照改性，辐照总脉冲个数结束后完成改性，同时激光停止输出。本发明使其表面电导率提高了9～12个数量级，同时制备出的导电聚合物比较稳定。
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公开(公告)号：CN101239825A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810102388.0
申请日：2008-03-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种提高Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15陶瓷压电常数的方法属于Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15无铅压电陶瓷的改性领域。本发明方法步骤如下：1)对Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15材料进行配料、混合和预反应；2)将预反应后的粉料压制成圆片状坯体，进行烧结，形成致密的圆片状陶瓷体；3)用连续CO2激光辐照圆片状陶瓷体，CO2激光功率密度为764W/cm2，辐照时间为90秒。本发明提高了Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15陶瓷压电常数，改变了单纯依赖改进预烧和烧结的温度及时间的现状，操作简便，效率高，可重复性强。
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公开(公告)号：CN100374615C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610001065.3
申请日：2006-01-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种镧钙锰氧薄膜(La0.67Ca0.33MnO3)的制备方法，该方法对镧钙锰氧薄膜采用激光辐照退火；该制备方法由下述步骤组成：清洗基片；将清洗干净的基片进行干燥后置于真空室内的硅板加热器上；抽真空至4×10-4～4×10-5Pa；硅板加热器升温至450℃～600℃；同时真空室内真空保持在4×10-4Pa～4×10-5Pa；向真空室内充入氧气，使真空室内的流动氧压保持在5～80Pa；利用准分子激光轰击La0.67Ca0.33MnO3靶材；薄膜沉积结束后，硅板在2～5分钟内降至室温；最后激光辐照退火：将制备的薄膜置于旋转平台上，平台以10度～30度/S的转速旋转，在60～240秒之内将激光功率密度逐渐调节到40～50W/cm2，功率密度保持10～300秒后，在120～240秒之内将激光功率密度逐渐降至零。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1199910C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03148245.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/46 , H01B3/12
Abstract: 一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源，原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，以190～350w/cm2的低功率密度在30～185s时间内对Ta2O5基陶瓷坯体进行激光辐照预热，激光扫描速率为0～33mm/s；预热结束后，调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850～1405w/cm2，进行烧结，激光扫描速率为0～50mm/s；经过25～95s的烧结后，激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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公开(公告)号：CN1176047C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03148244.9
申请日：2003-07-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/46 , H01B3/12
Abstract: 一种采用功率连续调控的激光制备高介电常数Ta2O5基陶瓷的方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm2连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm2，开始烧结；经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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公开(公告)号：CN201338998Y
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200920105187.6
申请日：2009-01-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/64
Abstract: 本实用新型是一种用于激光辐照功能材料的气氛控制装置，涉及激光加工领域，尤其是针对特定气氛气压及流速下的激光辐照陶瓷材料改性领域。目前，对功能陶瓷进行激光辐照，使其功能改性的过程大多在空气、常压的条件下进行，不能在烧结过程中进行气氛补偿和控制，对于功能陶瓷的性能改善有很大影响，制约了该技术的进一步发展。其特征在于：该气氛控制装置腔体密封，保证气密性；腔体留有用于激光照射的窗口；气瓶、稳压阀、压力表依次串联后通过腔体上设的进气孔连接腔体；腔体上的出气孔连接安全阀，安全阀与阀门和流量计的串联系统并联。本实用新型可以实现对激光辐照区域气体成分及流速的稳定控制。
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公开(公告)号：CN2938486Y
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200620119112.X
申请日：2006-08-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及一种大功率激光金属泵浦腔的水冷装置，属于激光技术及其应用领域。本装置按照工作物质、反射面、泵浦灯吸收热量的多少，确定冷却水先集中冷却工作物质，从工作物质流出的冷却水分为两路，使两路冷却水同步地冷却上下反射面，从上下反射面流出的冷却水再分别冷却两泵浦灯，最后流出该冷却系统。根据该方法设计出一种大功率激光金属泵浦腔的水冷装置，本装置主要包括有两个可相互配合连接的泵浦腔下体(116)、泵浦腔上体(115)，冷却水从设置于泵浦腔上体(116)和泵浦腔下体(115)的冷却装置内流动，从而对泵浦腔进行冷却。本实用新型主次分明地冷却工作物质、反射面、泵浦源，保障了大功率工业激光器的稳定工作。
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公开(公告)号：CN212270233U
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202020790915.8
申请日：2020-05-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型实施例涉及晶体材料生长技术领域，提供了一种微米晶气相生长装置。微米晶气相生长装置包括：反应腔，反应腔内设置有原料棒；光束整形元器件，每个光束整形元器件上安装有激光输出头，多个光束整形元器件围绕反应腔设置并朝向原料棒定位；其中，原料棒的顶端位于经由多个光束整形元器件调整后汇聚形成的激光聚焦光斑处。本实用新型实施例提供的微米晶气相生长装置，通过设置光束整形元器件实现了光强分布的精确调控，同时将分散的光束调整成准直光束，通过多个光束整形元器件的光束聚焦，实现了聚焦光斑形状；通过设置激光输出头，将热源改为激光，增大了热源的加热功率，可实现高分解温度微米晶的生长，显著地提高了微米晶的生长速度。
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