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公开(公告)号：CN113266542B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110730292.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种霍尔推力器磁路散热结构，涉及霍尔推力器技术领域，针对现有技术中霍尔推力器整体温度高的问题，本申请增加霍尔推力器散热能力的结构，采用镂空外磁屏并通过隔热支架将放电通道与底板分开，改变霍尔推力器的热量传递路径，使得放电通道内产生的热量直接通过隔热支架向环境传递，降低霍尔推力器整体温度，其中底板温度下降最为明显。本发明所提出的增加霍尔推力器散热能力的结构，保证了磁场分布几乎不变且推力器总体质量几乎不变的前提下，可以自由调节通道长度，减少放电通道的整体轴向长度，并降低了霍尔推力器整体的温度。
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公开(公告)号：CN113374662B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110733039.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，涉及霍尔推力器技术领域，针对现有技术中置阴极方案的霍尔推力器的阴极背景磁场强度影响发动机放电性能，导致降低了发动机的效率的问题，本申请采用中置励磁线圈的方式，改变中置阴极的背景磁场，以减少阴极发射的电子束跨越磁力线的阻力，从而降低耦合压降。本发申请所提出的磁路形成的中轴线磁场，可以通过调节中置线圈的励磁电流实现中轴线上最大磁场强度、阴极上端面处磁场强度、阴极上端面处磁场梯度的连续调节。其中阴极上端面处磁场强度在‑21％到21％范围内连续可调，阴极上端面处磁场梯度在‑28％到28％范围内连续可调，进而降低了背景磁场对中置阴极影响，进而解决了降低发动机效率的问题。
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公开(公告)号：CN113236516B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110732225.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种微型离子推力器放电室防沉积的结构，包括微型离子推力器的放电室、绝缘陶瓷套筒、绝缘陶瓷凸台结构和紧固件。绝缘陶瓷套筒包括套筒本体和法兰端面，套筒本体穿过放电室底板中部的通孔，法兰端面与放电室底板朝外的一侧贴合；绝缘陶瓷凸台结构具有阶梯面和凸台面，凸台面与放电室底板朝内的一侧贴合，阶梯面与放电室底板之间形成第一空隙，绝缘陶瓷凸台结构的外缘与阳极之间留有间隙；紧固件用于使绝缘陶瓷套筒和绝缘陶瓷凸台结构夹紧放电室底板。相比于现有技术，本发明通过设置第一空隙的方式破坏了溅射金属颗粒沉积层的连续性，保证陶瓷板的绝缘性，进而保证了放电室主阴极和阳极之间的绝缘性。
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公开(公告)号：CN113606103A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110871762.9
申请日：2021-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及一种阶梯栅极、栅极结构、阶梯栅极参数确定方法及系统，将栅极设计成阶梯状结构，阶梯栅极沿径向划分为中心区、过渡区和边缘区，中心区、过渡区和边缘区的厚度依次减小，中心区、过渡区和边缘区到另一个栅极的间距依次增大，实现栅极沿径向的间距变化，不同区域的栅极间距不同，使得不同径向位置的等离子体鞘有合适强度的加速电场，能够保证在不同位置离子束都能实现良好的聚焦。
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公开(公告)号：CN112943572B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110307639.4
申请日：2021-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种改变霍尔推力器磁场后加载程度的磁路结构，涉及磁路设计技术领域，针对现有技术中加速区高能离子对放电通道壁面的溅射侵蚀使得霍尔推力器寿命低的问题，本发明所提出的磁路形成的磁场正梯度强磁场区位于通道外，且可以通过改变磁路结构实现不同后加载程度。可以大幅度改变通道内磁场强度分布，后加载程度可在0‑50％范围内连续可调节，可控制场强峰值位于通道出口内部或外部，进而延长了霍尔推力器的寿命。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113357114A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110813110.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开一种应用于推力器的主阴极的装配结构及其装配方法，主阴极通过绝缘底座安装在连接底座上，使得主阴极与连接底座之间保持绝缘状态，由于连接底座呈环形结构，且环形结构沿周向开设有若干个贯穿其侧壁的开槽，开槽中可更换设有不同长度的定位件，定位件插接在开槽中，并封堵开槽和绝缘底座的间隙，绝缘底座通过与其相连接的搭接件搭接在定位件上，那么通过更换不同长度的定位件，改变搭接件在连接底座上的轴向位置，进而带动绝缘底座改变其在连接底座上的轴向位置，以能够保证主阴极与连接底座间绝缘密封的同时，能够频繁改变主阴极相对于推力器放电室的轴向位置，满足在推力器的实验研究。
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公开(公告)号：CN113252299A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110551213.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01M10/00
Abstract: 本发明涉及一种基于介质阻挡放电原理的流场流动显示装置及方法。该装置包括：DBD放电结构包括上电极板与下电极板；上电极板与下电极板平行，且上电极板与下电极板之间设有流体通道；将流体通入至流体通道内，形成待测流场；上电极板为透明电极板；高压电源用于对上电极板以及下电极板施加高压电源；DBD放电结构内的流体被激发放电，产生等离子体；高速摄像机置于DBD放电结构的上方，高速摄像机的拍摄方向垂直于上电极板，高速摄像机用于基于等离子体的流动状态拍摄放电斑图；计算机用于根据放电斑图显示待测流场内的流动环境；流动环境包括流动分离以及涡旋。本发明能够直接观察到流动分离、涡旋等流动环境，可视化效果好，且全程操作简单，耗时短。
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公开(公告)号：CN113133173A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110411674.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多环导磁柱霍尔推力器磁路结构，包含底板、内铁芯、磁极片、N组通道磁屏环和若干个导磁柱；内铁芯和N组通道磁屏环由内至外同心设置，在相邻两个通道磁屏环之间以及第N组通道磁屏环外侧分别沿周向均匀布置有多个导磁柱，形成等效导磁环，内铁芯、N组通道磁屏环和多个导磁柱均连接在底板上，内铁芯和导磁柱周侧面均缠绕有线圈，每组通道磁屏环为顶部开口的双环结构，通道磁屏环与底板垂直，内铁芯的顶部和每个导磁环的顶部连接有磁极片，其中内铁芯和布置在内铁芯顶部的磁极片均为中空结构；每个磁极片上的通孔与对应的导磁柱间隔排布。本发明可有效提升多环霍尔推力器磁路散热能力进而降低磁路温度，提升可靠性及放电稳定性。
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公开(公告)号：CN111156140B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201811318503.8
申请日：2018-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 可提高推力分辨率和工质利用率的会切场等离子体推力器，属于会切场等离子体推力器设计领域。解决了现有会切场推力器在实现其无拖曳应用中推力分辨率不足、在低功率工况下电离不足、工质利用率过低的问题。本发明的会切场等离子体推力器整体为轴对称结构，包括主阳极、第一垫片、空心盖板、外壳、第一级永磁体、第二垫片、第二级永磁体、壁面阳极和陶瓷通道。本发明通过调节陶瓷通道内部的环形壁面阳极电位实时调控通道内部电子的运动行为，从而微调电离过程和输出性能参数，达到提高推力器输出推力分辨率的目的，同时可促进电子径向迁移，进而增加电子与壁面附近的原子的碰撞概率，实现电离区的径向扩展，达到提高推力器工质利用率的目的。
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