公开(公告)号：CN101445913A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810161076.7

申请日：2008-09-26

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松崎均

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

Abstract: 本发明提供一种可用于形成面内均匀性非常优良的Ag系薄膜的Ag系溅射靶及Ag系薄膜。Ag系薄膜的Ag系溅射靶，在通过下述步骤(1)～(3)测定Ag系溅射靶的溅射面的平均晶粒直径dave时，平均晶粒直径dave在10μm以下，步骤(1)在溅射面的面内任意选择多个部位，以40～2000倍的倍率拍摄所选择的各部位的显微镜照片；步骤(2)对各显微镜照片，以井字状或放射线状画4条以上的直线，调查直线上的晶界数量n，对每条直线基于式d＝L/n/m算出晶粒直径d，式中，L表示直线的长度，n表示直线上的晶界数量，m表示显微镜照片的倍率；步骤(3)将所有选择部位的晶粒直径d的平均值作为溅射面的平均晶粒直径dave。

公开(公告)号：CN101376963A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810212643.7

申请日：2008-08-27

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  索尼碟片数位解决方案股份有限公司

Inventor： 田内裕基 ,  松崎均 ,  大川直树

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2003/244 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0466 ,  C22C5/06 ,  B22F3/24

Abstract: 本发明涉及一种Ag－基合金溅射靶，所述Ag－基合金溅射靶包含总量为1至15重量％的选自Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al和Si的至少一种元素，其中所述Ag－基合金溅射靶在其溅射表面上具有2μm以上的算术平均粗糙度(Ra)以及20μm以上的最大高度(Rz)。

公开(公告)号：CN101187007A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710192798.4

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 得平雅也 ,  高木胜寿 ,  钉宫敏洋 ,  米田阳一郎 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22C1/02 ,  B22D17/00 ,  C22F1/04

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F9/082 ,  B22F2998/10 ,  C22C21/00 ,  C23C4/08 ,  C23C4/123 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al－Ni－La体系Al－基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－La体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－La体系金属间化合物主要由Al和La组成。

公开(公告)号：CN1238554C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03800885.8

申请日：2003-06-23

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松崎均 ,  高木胜寿 ,  中井淳一 ,  中根靖夫

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08

Abstract: 一种银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶，特别有利于由溅射法形成膜厚分布均匀的银合金薄膜，由X射线衍射法求出任意4个位置的结晶取向强度时，4个测定位置的表示最高结晶取向强度(Xa)的方位相同，且在各测定位置最高结晶取向强度(Xa)与第二高的结晶取向强度(Xb)的强度比(Xb/Xa)的偏差在20%以下的银合金溅射靶。

公开(公告)号：CN1545569A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN03800885.8

申请日：2003-06-23

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松崎均 ,  高木胜寿 ,  中井淳一 ,  中根靖夫

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08

Abstract: 一种银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶，特别有利于由溅射法形成膜厚分布均匀的银合金薄膜，由X射线衍射法求出任意4个位置的结晶取向强度时，4个测定位置的表示最高结晶取向强度(Xa)的方位相同，且在各测定位置最高结晶取向强度(Xa)与第二高的结晶取向强度(Xb)的强度比(Xb/Xa)的偏差在20％以下的银合金溅射靶。