公开(公告)号：CN1469693A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03148943.5

申请日：2003-07-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 远藤彩映 ,  关俊一

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/10 ,  B05D7/00

CPC classification number: H05B33/14 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

Abstract: 提供一种把图案形成用材料液体化时，可以抑制气泡发生的液体组合物，以及用该组合物能以高生产率地形成膜图案的成膜装置。本发明的成膜装置，具有：生成含有有机功能材料、溶剂和表面活性剂的液体组合物生成装置S；向基板P喷出由液体组合物生成装置S生成的液体组合物构成的液滴的液滴喷出装置IJ。

公开(公告)号：CN1359253A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01139498.6

申请日：2001-11-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森井克行 ,  关俊一

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0005 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/56

Abstract: 在利用喷墨法来制造有机场致发光元件的制造过程中,形成没有相分离的均一的有机场致发光薄膜。把组合物对基板的挤出顺序确定为构成组合物的有机场致发光材料数少者先挤出的顺序。另外,在组合物中,对于构成该组合物的有机场致发光材料数相同的组合物,将其对基板的挤出顺序确定为构成组合物的有机场致发光材料在成膜后难以发生相分离者先挤出的顺序。

公开(公告)号：CN1300445A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00800465.X

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 古沢昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/208

Abstract: 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN1297582A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800437.4

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  关俊一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要方法,采用先向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜,再对该涂敷膜进行热处理的办法,形成所希望的薄膜。所以可以用低价格的装置用低价格制造薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1297577A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法,包括:将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。

公开(公告)号：CN1274516A

公开(公告)日：2000-11-22

申请号：CN99801138.X

申请日：1999-05-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神户贞男 ,  关俊一 ,  福岛均 ,  木口浩史

IPC: H05K1/02 ,  H05K3/18

CPC classification number: B41M3/006 ,  H05K3/185 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种衬底,用以形成附着规定的流体并进行了图形化的膜。尤其是这种衬底,为了形成膜,备有按特定形状进行了图形化的图形形成区域(10)。然后,该图形形成区域(10)的构成是在对流体没有亲合性的非亲合性区域(111)之间根据一定规则配置对流体具有亲合性区域(110)。流体不会过分扩展或分离,在必要的区域上可形成附着均匀的均衡薄膜。