公开(公告)号：CN1317836A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01105362.3

申请日：2001-02-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  周峥嵘 ,  陶风岗 ,  华中一

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/10

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明涉及一种具有极性记忆效应的有机电双稳薄膜及其应用。该薄膜为有机分子材料SCN和金属M的复合膜，M可为Cu、Ag、Mg、Ti等。该薄膜具有良好的电双稳态特性，并具有极性记忆效应，稳定性高、性能优良，可用于制作电存贮器和过压保护器等分子器件。

公开(公告)号：CN2480364Y

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01238943.9

申请日：2001-04-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  夏燚 ,  范智勇 ,  华中一

IPC: C08J3/28

Abstract: 本实用新型涉及一种强电场表面聚合装置。它由机械调节系统和电路控制系统两部分组成。机构调节系统由粗调、细调、微调、PZT陶瓷调节等几个部分。通过反馈电路控制维持隧道距离。用本装置制备聚合物薄膜,操作方便,并能制得大面积薄膜,适合于批量生产。从而使强电场表面聚合技术进入实际应用阶段。本装置还可用于表现刻蚀和细微加工,可用于制备非薄膜状态的聚合物。