一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN104810397B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201410037819.5

    申请日:2014-01-26

    Inventor: 杨霏 吴昊 于坤山

    Abstract: 本发明公开了一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法,主要解决现有高压碳化硅MOSFET导通电阻较大的问题。该器件包括:源极(1)、栅极(2)、栅氧介质(3)、N型源区(4)、P阱区(5)、JEFT区(6)、P型外延柱区(7)、N‑外延(8)、P型衬底柱区(9)、N+衬底(10)和漏极(11),其中在P阱的正下方的N+衬底与N‑外延的部分分别设有P型外延柱区(7)和P型衬底柱区(9),本发明可以有效降低器件的导通电阻,同时改善器件体内的电场分布,提高器件的耐压。本发明器件具有击穿电压高,导通电阻低,开关速度快、开关损耗低等优点,同时制作工艺简单,易于实现,可用于电力电子变压器,新能源发电、光伏逆变器等领域。

    一种反射式高能电子衍射对高压电缆的检测装置

    公开(公告)号:CN106680665A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201611068823.3

    申请日:2016-11-29

    CPC classification number: G01R31/083

    Abstract: 一种反射式高能电子衍射对高压电缆的检测装置属于高压电缆无损检测领域,尤其涉及一种反射式高能电子衍射对高压电缆的检测装置。本发明提供一种可对在线运行电缆进行无损伤检测的反射式高能电子衍射对高压电缆的检测装置。本发明包括叉指换能器、太阳能板和蓄电池和控制单元;其结构要点所述控制单元包括PIC18F4520/TQFP芯片U1、CA258 P芯片U3和LM239 U4,U3的2脚分别与电阻R11一端、电阻R12一端相连,R12另一端与太阳能板输出端相连,R11另一端分别与U3的1脚、电阻R30一端相连,R30另一端与U1的27脚相连。

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