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公开(公告)号：CN111629457A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010511157.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
Abstract: 本公开提供一种发热膜及其制备方法，该发热膜包括石墨烯复合纤维膜、内集流部和外集流部，其中内集流部位于所述石墨烯复合纤维膜的两端，外集流部位于所述内集流部的外表面；所述石墨烯复合纤维膜包括纤维和分散于所述纤维中的石墨烯。本公开发热膜的结构设计简单合理且制备工艺简单，所得发热膜能够使热量更加均匀的散发出来，减少了能量的损失与浪费。该发热膜的单位功率密度最高可达1500w/m2，能够在180℃～260℃范围内长期使用，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111607256A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010511194.7
申请日：2020-06-08
Abstract: 本发明提供一种石墨烯包覆炭黑材料及其制备方法，该石墨烯包覆炭黑材料的制备方法包括：将氧化石墨烯和炭黑置于水中分散均匀，得分散液；以及向所述分散液中加入还原剂进行还原反应，得到石墨烯包覆炭黑材料。本发明的石墨烯包覆炭黑材料在增强橡胶材料的时候能够很好的分散在橡胶混合物中，避免了石墨烯易在橡胶中团聚的问题。该方法工艺简单、原料成本低廉、环境友好，且产品结构设计简单合理，分散效果明显，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111560603A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010542448.1
申请日：2020-06-15
Applicant: 无锡盈芯半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种喷淋式进气CVD动态混气装置，在法兰的右侧壁上呈密封固定有混合罐，在法兰的左侧壁上呈密封固定有定子，在法兰上或者混合罐上固定有至少两个进气接头，在混合罐上固定有出气接头，在混合罐内转动安装有叶片轴，在叶片轴上固定有叶片；在定子内转动安装有主轴，主轴与叶片轴呈一体式同轴连接，在主轴内固定有强磁线圈，在主轴的外壁与定子的内壁之间设有密封用磁性粉末。本发明大大提高了二维材料生长用气体的混合效果，本发明还具有密封可靠、结构简单的优点。
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公开(公告)号：CN111501334A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010511032.3
申请日：2020-06-08
IPC: D06M11/74 , C03C25/44 , C03C25/16 , D06M101/40
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯复合物及其制备方法，该石墨烯复合物包括纤维和包覆所述纤维的石墨烯。本发明一实施方式的石墨烯复合物，能够较好的分散于有机高分子混合物中，解决了在有机高分子聚合物中的团聚问题。
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公开(公告)号：CN108085655B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201611040477.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种(2m，m)碳纳米管水平阵列及其制备方法。所述方法包括如下步骤：将铵盐转移至基底上，然后进行退火处理，铵盐为钼酸铵或钨酸按；采用氢气对铵盐进行还原；还原步骤结束后，向反应容器中通入碳源气进行生长，即得。本发明(2m，m)碳纳米管水平阵列，其中的碳纳米管的管径为0.7～1.3nm，长度为100～300μm。本发明采用的催化剂为碳化物，其催化活性较高，较现有的金属催化剂具有更高的活性，这是本发明能够获得密度较高的碳纳米管的关键。本发明采用的催化剂碳化钼的熔点较高，能够保持固体形态，因此能够获得手性选择性极高的碳纳米管。本发明选用单晶基底作为生长基底，由于单晶基底具有二重对称性，因此生长得到的碳纳米管具有很高的阵列性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107161987B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710560855.3
申请日：2017-07-11
IPC: C01B32/184
Abstract: 一种粉体石墨烯的制备方法，其特征在于包括如下步骤：S1：将引发剂和基底放置于能够产生微波的装置中，所述基底放置于所述引发剂之上；S2：向所述能够产生微波的装置中通入惰性气体形成保护气氛；以及S3：向所述能够产生微波的装置中引入碳源，所述能够产生微波的装置产生微波从而产生所述粉体石墨烯。本发明的粉体石墨烯制备方法，可以实现石墨烯的快速制备，而且生产的石墨烯质量高，易于规模化。
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公开(公告)号：CN105621387B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201410594398.6
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/159 , C01B32/162 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种高密度半导体性单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该阵列的方法，为方法一或方法二；方法一包括：在单晶生长基底I上加载氧化物纳米粒子的溶液，晾干后在空气气氛中煅烧，化学气相沉积，即在基底I上得到所述阵列；方法二包括：在单晶生长基底II上加载氧化物纳米粒子的溶液，晾干后退火，在空气气氛中煅烧，再化学气相沉积，即在基底II上得到所述阵列。本发明克服了现有制备半导体性单壁碳纳米管水平阵列密度低、强刻蚀、多缺陷等问题。该方法简单易控，成本低廉，重复性好，且无金属催化剂残留，在纳电子器件、生物医药和催化合成等高端领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN105621388B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410594882.9
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/159 , C01B32/16 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法与应用。该方法如下步骤：向单晶生长基底中进行离子注入后退火，在化学气相沉积系统中通入氢气进行还原反应，并保持氢气的继续通入进行阵列的生长，生长完毕即在所述单晶生长基底上得到所述单壁碳纳米管水平阵列。该方法具有简单高效，与现有微纳工艺兼容，易于实现大面积均匀可控，适合规模化生产的优点。并且，通过调控离子注入的能量和剂量，选择合适的催化剂和基底，有望实现单壁碳纳米管水平阵列的可控制备和大规模生产，因此本方法在纳电子器件等领域具有极其广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108085656A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611044393.1
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种(n，n-1)型碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法包括如下步骤：将氢氧化铁、氢氧化钴或氢氧化镍转移至基底上；采用氢气对氢氧化铁、氢氧化钴或氢氧化镍进行还原；还原步骤结束后，继续通入氢气并引入碳源气进行生长，即得。本发明制备的半导体型碳纳米管的纯度很高，理论上(n，n-1)型碳纳米管均为半导体型，因此该方法潜在可以制备超高纯度的半导体型碳纳米管。本发明制备的半导体型碳纳米管的质量极高，器件性能测试表明该方法制备的碳纳米管具有稳定的双极性行为，而双极性是碳纳米管的本征性质。本发明方法中碳纳米管具有极慢的生长速率，该过程有利于碳纳米管缺陷的修复，拉曼光谱和电学性质测量表明获得的结构很完美。
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公开(公告)号：CN104697946B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510061035.0
申请日：2015-02-04
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种衬底上碳纳米管水平阵列密度的快速光学表征方法。该方法包括如下步骤：将单根碳纳米管的光学吸收性质推广至宏观材料中，将二维材料(如石墨烯)的光学表征方法引入碳纳米管水平阵列领域，建立光学衬度与碳纳米管水平阵列密度及不同类型碳纳米管比例之间的定量公式，利用交叉偏振方法显著提高碳纳米管的光学信号(10‑100倍)，实现所述高密度碳纳米管水平阵列的光学表征。本发明提供的方法，克服了传统表征方法耗时、操作复杂、易损伤样品的缺点，实现了衬底上碳纳米管密度和类型的快速、准确、无损伤的表征，可广泛应用于碳纳米管的生长和测试实验中，为优化碳纳米管生长方法提供必不可少的监控和反馈措施。
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