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公开(公告)号：CN102655223B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210156503.9
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L2251/552
Abstract: 在包括处在一对电极之间的EL层的发光元件中，形成如下结构，其中该EL层至少包括在用作阳极的电极和具有发光属性的第三层（发光层）之间的具有空穴注入属性的第一层（空穴注入层）和具有空穴输运属性的第二层（空穴输运层）；并且第二层的最高被占用分子轨道能级（HOMO能级）的绝对值大于第一层的最高被占用分子轨道能级（HOMO能级）的绝对值，从而使从用作阳极的电极侧注入的空穴量被抑制，并且因此增加了发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102015643B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN200980114233.1
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0081 , H01L51/5012
Abstract: 本发明提供新的蒽衍生物。此外，本发明提供分别使用新的蒽衍生物的发光元件、发光器件和电子设备。提供通式(G11)和(G21)所示的蒽衍生物。通式(G11)和(G21)所示的蒽衍生物以高的色纯度发射蓝光，并具有载流子传输性能。因此，通式(G11)和(G21)所示的蒽衍生物均适用于发光元件、发光器件和电子设备。
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![二苯并[c,g]咔唑化合物、发光元件、发光装置、显示装置、照明装置以及电子设备](/CN/2013/1/12/images/201310063019.jpg)
公开(公告)号：CN103204796B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310063019.6
申请日：2012-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/80
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/56 , C07D209/60 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种如下新颖化合物，该新颖化合物可以应用于发光元件的传输层、主体材料或发光材料，而可以制造高性能发光元件。本发明人合成如下二苯并[c,g]咔唑化合物，在该二苯并[c,g]咔唑化合物中，二苯并[c,g]咔唑衍生物的氮与至少包含蒽的碳原子数为14至30的芳基键合。通过使用该二苯并[c,g]咔唑化合物，可以容易得到具有非常优良的特性的发光元件。
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公开(公告)号：CN102026957B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200980118355.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/54 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/54 , C07C2601/14 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L27/3209 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5278 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供由下面的通式(G1)表示的三芳基胺衍生物。在式中，Ar表示取代或无取代的苯基及取代或无取代的联苯基中的任一种，α表示取代或无取代的萘基，并且β表示氢及取代或无取代的萘基中的任一种。此外，n和m分别独立表示1或2，并且R1至R8分别独立表示氢、碳原子数为1至6的烷基及苯基中的任一种。
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公开(公告)号：CN102227016B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201110119787.X
申请日：2007-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5036 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的是提供一种使用寿命长的发光元件。此外，本发明的目的是提供一种使用寿命长的发光器件以及电子器具。本发明提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极；形成在第一电极和第二电极之间的第一层；以及形成在第一层和第二电极之间的第二层，其中，第一层含有发射第一光的第一有机化合物以及具有电子传输性的第二有机化合物，第二层包含发射第二光且具有电子俘获特性的第三有机化合物以及具有电子传输性的第四有机化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102942492A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210279619.1
申请日：2009-04-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/54 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/54 , C07C2601/14 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L27/3209 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5278 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供由下面的通式(G1)表示的三芳基胺衍生物。在式中，Ar表示取代或无取代的苯基及取代或无取代的联苯基中的任一种，α表示取代或无取代的萘基，并且β表示氢及取代或无取代的萘基中的任一种。此外，n和m分别独立表示1或2，并且R1至R8分别独立表示氢、碳原子数为1至6的烷基及苯基中的任一种。
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公开(公告)号：CN102779947A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210246794.0
申请日：2008-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种发光元件、发光装置、以及电子设备。其中具体公开了在一对电极之间具有EL层的发光元件中，EL层在用作阳极的电极和具有发光性的第四层（发光层）之间至少包括具有空穴注入性的第一层（空穴注入层）、具有空穴传输性的第二层（第一空穴传输层）、及具有空穴传输性的第三层（第二空穴传输层），并且通过形成第二层的最高占据轨道能级（HOMO能级）的绝对值比第一层及第三层的最高占据轨道能级（HOMO能级）的绝对值大的结构，降低从用作阳极的电极一侧注入的空穴的移动速度，以提高发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102655223A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210156503.9
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L2251/552
Abstract: 在包括处在一对电极之间的EL层的发光元件中，形成如下结构，其中该EL层至少包括在用作阳极的电极和具有发光属性的第三层（发光层）之间的具有空穴注入属性的第一层（空穴注入层）和具有空穴输运属性的第二层（空穴输运层）；并且第二层的最高被占用分子轨道能级（HOMO能级）的绝对值大于第一层的最高被占用分子轨道能级（HOMO能级）的绝对值，从而使从用作阳极的电极侧注入的空穴量被抑制，并且因此增加了发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102408407A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110278052.1
申请日：2011-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D333/76 , C07D307/91 , C07D409/10 , C09K11/06 , C07C49/813 , C07C33/46 , C07C25/22 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0058 , C07C25/02 , C07C25/22 , C07C31/36 , C07C33/46 , C07C33/50 , C07C49/163 , C07C49/333 , C07C49/80 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/50 , C07D307/91 , C07D333/76 , C07D409/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/508 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H01L2251/552 , H05B33/10 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有空穴传输性，并且其带隙宽的物质。提供由通式(G1)表示的芴化合物。在通式(G1)中，α1及α2分别独立地表示取代或未取代的碳数为6至13的亚芳基，Ar1表示取代或未取代的碳数为6至18的芳基、取代或未取代的4-二苯并噻吩基或取代或未取代的4-二苯并呋喃基，n及k分别独立地表示0或1，Q1表示硫或氧，R1至R15分别独立地表示氢、碳数为1至12的烷基或碳数为6至14的芳基。
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公开(公告)号：CN102227016A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110119787.X
申请日：2007-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5036 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的是提供一种使用寿命长的发光元件。此外，本发明的目的是提供一种使用寿命长的发光器件以及电子器具。本发明提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极；形成在第一电极和第二电极之间的第一层；以及形成在第一层和第二电极之间的第二层，其中，第一层含有发射第一光的第一有机化合物以及具有电子传输性的第二有机化合物，第二层包含发射第二光且具有电子俘获特性的第三有机化合物以及具有电子传输性的第四有机化合物。
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