基于改进式线圈的铁磁性细长构件无损检测装置

    公开(公告)号:CN107328851A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710565591.0

    申请日:2017-07-12

    Inventor: 张东来 晏小兰

    Abstract: 本发明提供了一种基于改进式线圈的铁磁性细长构件无损检测装置,包括两个上下抱合铁磁性细长构件并对称设置的检测探头,所述检测探头靠近铁磁性细长构件的一侧分别设有磁轭、永磁铁和铁芯,所述永磁铁有两个并分别设置在所述磁轭的左右两端,所述铁芯设置在所述磁轭上并位于两个所述永磁铁之间,所述铁芯的一端设有圆弧形凸起部,所述铁芯的另一端设有圆弧形凹槽,所述铁芯的左右两侧分别为竖直平面,所述铁芯上绕制有感应线圈。本发明的有益效果是:简化线圈绕制的同时,提高了检测信号的信噪比,并且大大减弱了提离距离对检测结果的影响,消除了线圈截面积大小不一对检测结果分析带来的困难。

    多谐振的DC-DC变换器及直流电流源

    公开(公告)号:CN107294377A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201710458115.9

    申请日:2017-06-16

    Inventor: 张东来 刘明雨

    Abstract: 本发明提供了一种多谐振的DC-DC变换器,驱动电路的输出端连接所述功率电路的驱动端,所述功率电路包括输入谐振模块,电压VIN的输出端连接输入谐振模块的输入端,输入谐振模块的输出端连接串联谐振模块的输入端,串联谐振模块的输出端连接输出谐振模块的输出端,主动开关模块的输出端连接串联谐振模块的输入端,被动开关模块的输出端连接输出谐振模块的输入端,电源VIN的输出端分别连接主动开关模块的输入端及被动开关模块的输入端。E2多谐振DC-DC变换器模块采用E电路结构,能够满足ZVS及ZDS,开关损耗低,效率高。

    一种串并联谐振逆变电路结构

    公开(公告)号:CN107040158A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201710273486.X

    申请日:2017-04-21

    Inventor: 张东来 刘明雨

    CPC classification number: Y02B70/1441 Y02B70/1491 H02M7/53871

    Abstract: 本发明涉及一种串并联谐振逆变电路结构。本结构中一相串并联谐振逆变电路包括串联谐振腔LS和CS、并联谐振腔LP和CP、E类逆变电路,所述E类逆变电路一端与直流输入端连接,所述E类逆变电路的另一端与CS的一端连接,所述CS的另一端与LS一端连接,所述LS的另一端与CP的一端连接,CP的一端与交流输出端连接,所述CP的另一端接地,所述LP与CP并联,所述E类逆变电路包括输入的谐振电路LN和CN和开关管M0,所述LN一端与直流输入端连接,所述LN的另一端与CN连接,所述CN的一端与CS连接,CN的另一端接地,所述开关管M0与CN并联。本方案采用E类逆变结构,能够满足软开关要求的ZVS和ZDS,可以大幅减少开关损耗,使系统能够高频化运行。

    线性压控电流源拓扑结构及太阳阵模拟器

    公开(公告)号:CN107037852A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201710425059.9

    申请日:2017-06-06

    Inventor: 张东来 金珊珊

    CPC classification number: G05F1/575 G01R1/28 G05F1/66

    Abstract: 本发明公开一种应用于太阳阵模拟器的线性压控电流源拓扑结构及太阳阵模拟器,线性压控电流源拓扑结构包括:三端口线性功率复合晶体管,三端口线性功率复合晶体管由多个N沟道常开型JFET与N沟道常闭型MOSFET级联构成。本发明采用多个N沟道常开型JFET与N沟道常闭型MOSFET级联来替代单管功率MOSFET,且每一个JFET功率管的热耗功率通过选用合适的漏源极电压的钳位稳压管来限定,故单路电流源的热耗功率与级联JFET的个数成线性正比例关系,而相同额定耗散功率条件下的电流源并联路数与级联JFET的个数成线性反比例关系,极大减小电流源的并联支路数,可较大程度的优化太阳阵模拟器的体积和简化电路结构。

    太阳阵模拟器的开路电压控制电路及其开路电压控制方法

    公开(公告)号:CN105573391B

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201610124415.9

    申请日:2016-03-04

    Abstract: 本发明公开了太阳阵模拟器的开路电压控制电路及其开路电压控制方法,太阳阵模拟器的开路电压控制电路包括:电压源,其输出端连接负载,给负载供电;偏置电阻Rdummy_load,与所述负载并联;模数转换器,连接电压源的输出端;数字处理单元,连接所述模数转换器;以及恒流负载,接地,连接偏置电阻Rdummy_load的输出端和数模转换器;本发明电路结构很简单,控制方式简单,并且实现真正的开路,提高了开路电压的精度。

    一种高精度长时间无漂移积分器

    公开(公告)号:CN106656083A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201611168863.5

    申请日:2016-12-16

    Inventor: 张东来 晏小兰

    Abstract: 本发明提供了一种高精度长时间无漂移积分器,包括电压基准REF、多路开关SW、放大器、ADC、MCU以及DAC;其中,REF提供准确的参考电压Vref;SW为单刀三掷开关,触点1、2、3为SW的输入端,触点4为SW的输出端;触点1与Vref相连,触点2与信号输入Vin相连,触点3与GND相连,触点4与放大器A的第一输入端相连;放大器A的第二输入端与GND相连;放大后的信号由MCU控制的ADC进行采样,同时MCU以一定时序控制SW在三路信号中进行切换以作为放大器的输入信号进行放大,并在MCU中完成积分的运算,再由DAC输出信号积分值。本发明不仅实现了对微弱信号的积分,消除了因时间和温度对积分漂移带来的影响,能在长时间内实现无漂移积分输出,并且电路简单,控制方便。

    一种环路补偿器
    127.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106655719A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201710018592.3

    申请日:2017-01-11

    Inventor: 张东来 刘贺

    CPC classification number: H02M1/00 H02M2001/0003

    Abstract: 本发明提出了一种环路补偿器,包括三个运放;运放的同相输入端均接地,第一运放的反相输入端接电阻R4和R1的一端,R4的另一端是补偿器的输入,R1的另一端与电容C1的一端相连,C1的另一端接第一运放的输出端;第二运放的反相输入端接电阻R5和R6的一端,R5的另一端与第一运放的输出端相连,R6接第二运放的输出端,R2的一端与第一运放的输出端相连,另一端与C2的一端相连,C2的另一端与第二运放的反相输入端相连,R3的一端与第二运放的反相输入端相连,另一端与C3的一端相连,C3的另一端与第二运放的输出端相连;第二运放的输出端接一传统II型补偿器。本发明比传统II型补偿器的调试方法更为简单;多模块时,本发明控制下的外环仍具备66.7度的相角裕度。

    一种适用于脉冲负载的低频脉冲电流纹波抑制电路

    公开(公告)号:CN106602851A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201710018594.2

    申请日:2017-01-11

    Inventor: 张东来 谷雨

    Abstract: 本发明提供了一种适用于脉冲负载的低频脉冲电流纹波抑制电路,其包括前级功率缓冲模块、后级稳压模块、前级电压采样模块、后级电压采样模块、前级电流采样模块、前级控制模块以及后级控制模块。所述前级功率缓冲模块采用Boost变换器,所述后级稳压模块采用Buck变换器,所述电流采样模块采用电流镜采样电路,所述电压采样模块采用电阻分压采样电路。所述Boost变换器采用加入输入电流交流扰动信号后的电压闭环控制,所述Buck变换器采用传统的电压闭环控制,通过控制前后两级变换器的级联工作,实现当负载工作于低频脉冲状态时的输入脉冲电流的纹波抑制效果。该电路结构简单,设计调节灵活,具有较强的实用性。

    一种DC/DC变换器输入串联输出串联的均压控制方法

    公开(公告)号:CN106452068A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610899996.3

    申请日:2016-10-14

    Inventor: 张东来 曲璐

    Abstract: 本发明提出了一种DC/DC变换器输入串联输出串联的均压控制方法,所述DC/DC变换器是输出端稳压的电源模块,每个电源模块的输入端并联一个MOSFET和一个滤波电容。同时,每个电源模块具有一个输入均压环,均压环的参考电压是总输入电压的平均值vin/N,N为电源模块的个数;均压环产生的补偿电压直接控制MOSFET工作在线性区,调整N个模块的平均运行。本发明的方法能够快速的将市售的稳压电源模块输入串联输出串联组合起来,按照不同的电压需求随意进行组合。比较传统的均压控制方法,提出的方法省去繁琐的重复计算的过程,方法简单易于实现。而且均压环的控制对象是工作在线性区的MOSFET,带宽可以做到很高,具有较好的动态响应。

    一种长时间低漂移积分器及其控制方法

    公开(公告)号:CN106094935A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610424644.2

    申请日:2016-06-16

    CPC classification number: G05D23/32

    Abstract: 本发明提供一种长时间低漂移积分器及其控制方法,所述长时间低漂移积分器包括:温控模块、积分模块、半导体制冷器和温度检测传感器,所述温控模块与半导体制冷器相连接,所述积分模块和温度检测传感器分别设置于所述半导体制冷器的被控温度面,所述温度检测传感器与所述温控模块相连接;其中,所述温控模块用于控制和稳定所述半导体制冷器的温度,所述积分模块实现积分调零补偿。本发明能在较短时间内稳定在被控温度点,消除了半导体制冷器的浪涌电流,稳定温度波动小;所述温控模块控制积分模块中对温度敏感的器件工作在恒定温度,减小了这些器件参数的变化引起的积分漂移,能够有效减小其非线性漂移,温度控制稳定,长时间积分漂移小。

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